张子旸
- 作品数：18 被引量：16H指数：3
- 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金吉林省科技发展计划基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- P型调制掺杂1.3μm InAs/GaAs量子点激光器被引量：5
- 2021年
- 1.3μm InAs/GaAs量子点(QD)激光器基于自身优异的光电特性,有望成为下一代光通信系统所急需的高性能、低成本光源。理论分析了提高量子点材料增益的几种方法,然后利用分子束外延(MBE)分别生长非掺杂、p型调制掺杂的8层高质量的量子点激光器外延结构,并分别制备了量子点激光器。另外,为了抑制量子点激发态与基态的激射竞争,设计并优化了激光器腔面的镀膜工艺。最终实现了300μm超短腔长基态激射的p型调制掺杂1.3μm InAs/GaAs的量子点激光器,展示出了其在高速光通信系统应用中的巨大潜力。
- 姚中辉陈红梅王拓蒋成张子旸
- 关键词：激光器量子点分子束外延腔面镀膜
- 基于激光直写工艺的量子结构的定位生长方法
- 本发明公开了一种基于激光直写工艺的量子结构的定位生长方法，包括应用激光直写工艺刻写刻蚀结构图形步骤：首先控制激光直写的曝光光斑沿光刻胶层的第一方向刻写，形成一行的曝光光斑，然后再逐行刻写，最终在光刻胶层上形成M行×N列的...
- 黄荣张子旸李智黄源清张宝顺
- 文献传递
- 光子集成器件及其制作方法
- 本发明提供了一种光子集成器件，包括衬底；衬底上设置有二维材料单元以及位于二维材料单元两侧的半导体发光单元；二维材料单元中设置有发光波段长于半导体发光单元的发光波段的发光二维材料，半导体发光单元向二维材料单元提供泵浦光源，...
- 张子旸陈红梅黄源清刘清路
- 文献传递
- 基于双倾斜沟槽结构的O波段单纵模Fabry-Pérot激光器被引量：3
- 2021年
- 基于双倾斜刻蚀沟槽结构成功实现了无需二次外延生长的单纵模Fabry-Pérot(F-P)激光器。分析了F-P谐振腔中存在刻蚀沟槽的谐振条件,沟槽的倾斜有利于获得稳定的单纵模输出。为了进一步研究斜槽宽度对器件输出性能的影响,在保持沟槽倾斜角为4°的前提下,制备了不同斜槽宽度的激光器器件,测试发现,当斜槽的刻蚀宽度为1.5μm时器件的单模输出性能最佳。该器件在70 mA连续电流注入下展现出了高达40 dB的边模抑制比,并且在不同的电流注入下均保持稳定的单纵模输出。在25~70℃的测试范围内,有斜槽时光谱红移速率仅为0.12 nm/℃,远小于无斜槽时0.6 nm/℃的红移速率,进一步证实了斜槽的引入可以有效地实现稳定的单纵模输出,展示出了在光通信应用的潜力。
- 姚中辉陈红梅张子旸
- 关键词：单纵模光通信
- 激光器及其制作方法
- 本发明公开了一种激光器，包括衬底以及依序层叠在衬底上的第一反射结构、第一电极、第一透明绝缘层、发光层、第二透明绝缘层，第二透明绝缘层的背向发光层的表面上设有第二电极和第二反射结构，发光层包括沿背向第一透明绝缘层的方向依序...
- 蒋成张子旸
- 1310 nm高功率超辐射发光二极管的制备及性能研究被引量：6
- 2021年
- 为优化1310 nm超辐射发光二极管输出性能,提高器件输出功率,针对J型波导结构的1310 nm超辐射发光二极管的波导结构参数及器件散热能力进行研究。结果表明波导刻蚀深度、弯曲角度和绝缘层厚度是影响器件实现高功率输出的重要因素。基于研究结果对超辐射发光二极管器件结构及工艺进行优化,制备出脊宽5μm、弯曲角度8°、刻蚀深度1.7μm、绝缘层厚300 nm的J型超辐射发光二极管。该器件在室温及500 mA连续注入电流条件下,直波导长度1.5 mm时实现10 nm宽的输出光谱,输出功率达到42.2 mW。
- 王拓陈红梅贾慧民姚中辉房丹蒋成张子旸李科学唐吉龙魏志鹏
- 关键词：超辐射发光二极管输出性能
- 基于Ge_(2)Sb_(1.5)Bi_(0.5)Te_(5)可饱和吸收体的锁模光纤激光器
- 2022年
- Ge_(2)Sb_(1.5)Bi_(0.5)Te_(5)薄膜具有宽光谱吸收和高稳定性的特点。在金镜上采用磁控溅射制备了40 nm厚的Ge_(2)Sb_(1.5)Bi_(0.5)Te_(5)薄膜,将其在150℃下退火20 min,退火后Ge_(2)Sb_(1.5)Bi_(0.5)Te_(5)由非晶态转变为晶态。测试发现晶态Ge_(2)Sb_(1.5)Bi_(0.5)Te_(5)可饱和吸收体的调制深度提高到了原来的1.4倍,基于晶态Ge_(2)Sb_(1.5)Bi_(0.5)Te_(5)可饱和吸收体实现了脉冲宽度为1.52 ps、信噪比为47 dB的光纤锁模激光器。制备了40、60、80 nm的Ge_(2)Sb_(1.5)Bi_(0.5)Te_(5)薄膜,分析表明,随着Ge_(2)Sb_(1.5)Bi_(0.5)Te_(5)薄膜厚度的增加,光吸收率明显增加,这说明Ge_(2)Sb_(1.5)Bi_(0.5)Te_(5)薄膜的光学性质具有可控性,Ge_(2)Sb_(1.5)Bi_(0.5)Te_(5)材料在超快激光器中有应用潜力。
- 叶蕾王顺姚中辉蒋成郭凯张子旸
- 关键词：可饱和吸收体锁模掺铒光纤激光器
- 激光直写制备的纳米图形衬底上量子点、量子的定位生研究
- 高质量、尺寸均匀、位置可控外延生长的量子点、量子线结构在单光子器件、单电子器件、半导体激光器等多个方面有着很广阔的应用前景.目前人们多采用纳米压印技术、电子束曝光技术、聚焦离子束技术与干法或湿法蚀刻技术相结合的工艺来制作...
- 黄荣李智张子旸
- 一种量子点结构的制作方法
- 本发明公开了一种量子点结构的制作方法，包括：在衬底上制备量子点膜层；在所述量子点膜层上制备第一保护膜；在所述第一保护膜上制备图形化阵列；在所述第一保护膜及所述图形化阵列上制备第二保护膜，获得中间体；对所述中间体进行退火处...
- 张子旸黄荣黄源清
- 文献传递
- 基于激光直写工艺的量子结构的定位生长方法
- 本发明公开了一种基于激光直写工艺的量子结构的定位生长方法，包括应用激光直写工艺刻写刻蚀结构图形步骤：首先控制激光直写的曝光光斑沿光刻胶层的第一方向刻写，形成一行的曝光光斑，然后再逐行刻写，最终在光刻胶层上形成M行×N列的...
- 黄荣张子旸李智黄源清张宝顺
- 文献传递
