李倩
- 作品数:5 被引量:5H指数:1
- 供职机构:北京印刷学院更多>>
- 发文基金:北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:文化科学金属学及工艺理学电子电信更多>>
- 爱奇艺移动客户端内容运营研究
- 伴随着移动互联网技术的不断发展和完善,截止2016年我国智能手机出货量为14.5亿部,智能手机用户规模高达6.25亿人,我国移动视频的市场规模在不断扩大,市场潜力不容忽视。再加上公共场所WiFi大规模的普及、4G网络的兴...
- 李倩
- 关键词:移动客户端
- 文献传递
- 直流和高功率磁控溅射制备氮化铬薄膜及其结构性能比较被引量:4
- 2019年
- 目的比较直流磁控溅射(DCMS)和高功率磁控溅射(HiPIMS)两种沉积技术制备的氮化铬(CrN)薄膜的结构和性能。方法采用DCMS和HiPIMS沉积技术,在金属镍(Ni)基底上沉积CrN薄膜,采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和显微硬度计等仪器,分析CrN薄膜的晶相结构、表面以及截面形貌、基底与薄膜复合硬度、摩擦性能等。结果XRD晶体测量显示DCMS制备的CrN薄膜在(111)晶面择优生长,内应力大;而HiPIMS制备的CrN薄膜为(200)晶面择优生长,内应力小。SEM显示两种方法制备的CrN薄膜都呈柱状晶体结构生长,但HiPIMS沉积的CrN薄膜颗粒尺寸较小,柱状晶体结构和晶粒更致密。硬度测量得到HiPIMS制备的CrN薄膜显微硬度为855.9HV,而DCMS制备的CrN薄膜显微硬度为501.5HV。此外,DCMS制备的CrN薄膜平均摩擦系数为0.640,而HiPIMS制备的CrN薄膜摩擦系数为0.545,耐磨性也好。HiPIMS制备的CrN薄膜的腐蚀电流比DCMS制备的CrN薄膜低1个数量级。结论HiPIMS沉积技术制备的CrN薄膜颗粒尺寸小,结构更致密,且缺陷少、硬度高、防腐蚀性好,薄膜各项指标都优于DCMS沉积的CrN薄膜。
- 李倩李花王正铎张海宝杨丽珍刘忠伟陈强
- 关键词:氮化铬直流磁控溅射
- 高功率脉冲磁控溅射沉积Al-N共掺ZnO薄膜的研究
- 氧化锌(ZnO)因其独特的物理性质而备受关注,如宽直带隙(3.37 eV),高激子结合能(60 meV),这些特性使ZnO广泛应用于太阳能电池、激光二极管和光探测器等。而制备性能优良的p-ZnO薄膜是实现全ZnO基光电器...
- 李倩
- 文献传递
- 新媒体时代下新华书店发展策略研究
- 2016年
- 新华书店创建于1937年,经历过4个阶段的艰苦变革历程,并建立了以市场为导向的现代企业制度,实施连锁经营方式和股份制改革,形成了具有鲜明特色的品牌。但是随着互联网技术的迅猛发展,实体书店的发展举步维艰,新华书店想要在激烈的市场竞争中寻得立足之地而不被彻底淘汰,必须进行大刀阔斧、实质性的改革。
- 李倩
- 关键词:新华书店
- N2流量对HiPIMS制备Al-N共掺杂ZnO薄膜的性能影响被引量:1
- 2019年
- 采用高功率脉冲反应磁控溅射(HiPIMS)在玻璃基底上沉积Al-N共掺氧化锌(ZnO)薄膜,研究氮气(N2)流量对Al-N共掺杂ZnO薄膜的晶体结构、表面形貌和电学性质的影响。测量结果表明,N2流量对掺杂的ZnO薄膜电导率类型转变和光电性能有很大影响:当N2流量为8 mL/min时,掺杂ZnO薄膜在可见光波段透过率大于85%,薄膜导电类型为n型;随着N2流量的增加,薄膜经历n-p-n型的转变过程。当N2流量为20 mL/min时,掺杂的ZnO结晶性最好,晶体缺陷少、XRD衍射峰半峰宽(FWHM)最小、表面粗糙度也低,为p-ZnO。薄膜电学性能测量显示:载流子浓度、迁移率、电阻率分别为5.47×10^17 cm^-3、2.7 cm^2/Vs、4.51Ωcm。
- 李倩张玉琛王正铎杨丽珍张海宝刘忠伟陈强
- 关键词:氧化锌