胡荣炎
- 作品数：2 被引量：5H指数：1
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 石墨烯掺杂研究进展被引量：5
- 2015年
- 石墨烯被认为是在后摩尔时代可能取代硅成为构筑集成电路的主要材料,近年来成为研究热点。然而要使石墨烯在电路中得到实际应用,其稳定、可控的掺杂至关重要。按照不同掺杂机理梳理了近年来关于掺杂石墨烯的研究,分析了表面转移掺杂和替位掺杂两种主流掺杂方法的掺杂机制,比较了不同掺杂方法的优势与劣势,并提出了潜在的应用方向。由于简单表面转移掺杂和替位掺杂方法都使石墨烯掺杂后裸露在外界环境中,很容易受外界吸附物的影响,造成掺杂效果的退化,因此介绍了氮化硅钝化层和金属接触在石墨烯掺杂方面的独特优势,并且认为掺杂后隔绝石墨烯与外界环境是掺杂稳定存在的必要前提。最后,展望了掺杂石墨烯在未来电子器件中的应用。
- 胡荣炎贾昆鹏陈阳战俊粟雅娟
- 关键词：石墨烯掺杂介质金属
- 石墨烯场效应晶体管的制备与掺杂方法研究
- 石墨烯是一种新型的二维纳米材料，具有出色的电学性能，理论上载流子迁移率可以达到200000 cm2/(V?s)，是硅中电子迁移率的近200倍。完美的晶格结构使得本征石墨烯中的电子传输几乎不受散射，费米速度接近光速的三百分...
- 胡荣炎
- 关键词：石墨烯场效应晶体管N型掺杂氮化硅
