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陈彦伟

作品数：16 被引量：1H指数：1
供职机构：陕西师范大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金能源基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇电池
  • 3篇电极
  • 3篇太阳电池
  • 3篇硅片
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇单晶硅片
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子浓度
  • 2篇织构
  • 2篇绒面
  • 2篇水解
  • 2篇水解产物
  • 2篇探针
  • 2篇透明导电
  • 2篇透明导电氧化...
  • 2篇透射
  • 2篇片状
  • 2篇左侧
  • 2篇节能

机构

  • 16篇陕西师范大学

作者

  • 16篇陈彦伟
  • 15篇刘生忠
  • 15篇高斐
  • 13篇武怡
  • 12篇王皓石
  • 3篇訾威
  • 2篇李付贤
  • 2篇周松杰
  • 2篇郑逍遥
  • 2篇武慧君
  • 2篇肖锋伟

传媒

  • 1篇化工新型材料
  • 1篇材料导报
  • 1篇第十四届中国...

年份

  • 3篇2016
  • 2篇2015
  • 11篇2014
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种片状Bi<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>粉末的制备方法
本发明公开了一种片状Bi<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>粉末的制备方法，先通过调节铋源溶液的pH值，获得铋源的水解产物，然后加入硫源，在不同pH条件下反应，制备成片状Bi<Sub>2</Sub>S<Su...
高斐马笑轩武怡张陆萍陈彦伟王皓石宋飞莺刘生忠
文献传递
增强硅薄膜太阳电池光吸收的织构横向错位方法
本发明公开了一种增强硅薄膜太阳电池光吸收的织构横向错位方法，在硅的N-I-P层与前、背两个透明导电氧化物层之间分别刻蚀周期边长为200～500nm的锯齿状三角一维光栅，其中硅的N-I-P层前表面的三角一维光栅与硅的N-I...
高斐王皓石刘生忠訾威陈彦伟武怡宋飞莺马笑轩肖锋伟
文献传递
一种片状Bi<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>粉末的制备方法
本发明公开了一种片状Bi<Sub>2</Sub>S<Sub>3</Sub>粉末的制备方法，先通过调节铋源溶液的pH值，获得铋源的水解产物，然后加入硫源，在不同pH条件下反应，制备成片状Bi<Sub>2</Sub>S<Su...
高斐马笑轩武怡张陆萍陈彦伟王皓石宋飞莺刘生忠
文献传递
分光光度计的样品夹具
一种分光光度计的样品夹具，在母块的上端设置有折板，折板上加工有槽形孔a，母块中心加工有透光孔c,透光孔c两侧加工有相互平行且与母块前边缘平行的凹槽b，凹槽b内设置有橡皮筋。本实用新型采用夹具母块两侧以透光孔为中心对称安装...
高斐武怡宋飞莺马笑轩王皓石陈彦伟刘生忠
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电化学工作站的电极夹具
一种电化学工作站的电极夹具，在底座上设置有堵盖，堵盖的中心线与底座的中心线相重合，堵盖上加工有用于插入电极的两个电极插孔，底座的侧壁同一条直径上设置有两个螺杆。由于本实用新型采用在堵盖上加工长方形电极插孔或圆形电极插孔，...
高斐马笑轩武怡陈彦伟宋飞莺王皓石刘生忠
文献传递
CdS薄膜和HIT太阳能电池的制备及特性研究
在严峻的能源形势和生态环境不断恶化的情况下,改变现有能源结构,发展可持续的绿色能源已然成为世界各国极为关注的课题。太阳能电池作为一种清洁的新能源已经得到了很大的发展。CdS/CdTe薄膜太阳能电池由于其转换效率高、电池性...
陈彦伟
关键词：CDS薄膜
文献传递
退火时间对PbS薄膜结构和光学特性的影响被引量：1
2014年
利用化学浴沉积法在玻璃衬底上50℃沉积3h制备硫化铅（PbS）纳米晶薄膜.将得到的PbS薄膜在300℃氮气中进行不同时间（0～120min）的退火.利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和紫外-可见-近红外分光光度计对PbS薄膜的结构和光学特性进行研究.PbS薄膜在玻璃基底上粘附力较强,结晶度良好,呈面心立方结构且沿（111）方向择优生长.不同的退火时间导致PbS薄膜的结构、形貌、光学特性均产生明显差异.退火30 min的PbS薄膜的结晶度最好,其带隙变化范围为0.90～1.70 eV.
武怡高斐刘生忠马笑轩王浩石宋飞莺陈彦伟
关键词：光学特性
一种弱氧化单晶硅片的制绒方法
本发明公开了一种弱氧化单晶硅片的制绒方法，先将清洗好的单晶硅片置于HF水溶液中去除硅片表面较厚的氧化层，然后将硅片放入H<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>水溶液中进行氧化，在硅片表面形成一层很薄的氧化层，...
高斐宋飞莺刘生忠武怡杨勇州王皓石陈彦伟
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一种提高ITO导电薄膜载流子浓度的方法
本发明公开了一种提高ITO导电薄膜载流子浓度的方法，采用H<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>水溶液对ITO导电薄膜进行浸泡处理，该方法操作简单，节能环保，在提高ITO导电薄膜载流子浓度的同时基本不影响其透...
高斐武慧君刘生忠陈彦伟郑逍遥李付贤纪方旭周松杰
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硅异质结太阳电池关键技术研究
薄膜硅/晶体硅异质结( HIT) 太阳电池是一种有发展前景的高效低成本电池，受到人们的重视。本文以p 型单晶硅为衬底，利用等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)技术研制非晶硅/单晶硅单面HIT 电池，在影响硅HIT 电...
高斐刘生忠王皓石陈彦伟武怡
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