贾文博
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：西安电子科技大学技术物理学院更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程更多>>
- MOCVD脉冲生长对InGaN太阳能电池材料的影响被引量：1
- 2013年
- 通过对InGaN三元合金的生长方式做对比,发现在相同条件下,因常规生长过程中反应室In的浓度更高,生长出的InGaN中In组分更高。但是由于预反应的原因晶体质量较差,而脉冲生长由于源的分时输运,大幅减小了预反应的发生,提高了晶体质量。但由于生长时反应室In原子浓度变小,In的组分会降低,也会减小In滴的析出。
- 贾文博李培咸周小伟杨扬
- 关键词：INGAN太阳能电池MOCVD
- Mg注入非极性a面GaN退火温度的研究被引量：1
- 2013年
- 非极性GaN材料解决了传统GaN材料中的极化现象,具有较好的应用前景。用金属有机物化学气相沉积方法,在r面蓝宝石上生长了Mg注入非极性a面GaN薄膜,并选取650℃、750℃、850℃这3个温度对Mg注入GaN薄膜进行退火温度研究。用原子力显微镜、光致发光谱、拉曼谱研究了材料的表面形貌、光学性质以及面内应力。结果表明,在750℃退火时效果较好。
- 杨扬李培咸周小伟贾文博赵晓云
- 关键词：非极性氮化镓原子力显微镜光致发光谱拉曼谱
- InGaN太阳能电池外延片的生长
- 当前太阳能电池的一个普遍问题就是效率偏低，且要求比较大的面积，尤其是宇航，卫星，航空航天领域中这些问题就变得更加的棘手，非常迫切的需要解决。目前硅基太阳能电池已经做到了极限，人们迫切的需要一种新型高效太阳能电池来满足需求...
- 贾文博
- 关键词：INGAN太阳能电池
- 文献传递
