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赵晓云

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇氮化镓
  • 1篇原子力显微镜
  • 1篇退火
  • 1篇退火温度
  • 1篇拉曼
  • 1篇拉曼谱
  • 1篇光谱
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光谱
  • 1篇发光
  • 1篇非极性

机构

  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇李培咸
  • 1篇周小伟
  • 1篇贾文博
  • 1篇杨扬
  • 1篇赵晓云

传媒

  • 1篇电子科技

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Mg注入非极性a面GaN退火温度的研究被引量：1
2013年
非极性GaN材料解决了传统GaN材料中的极化现象,具有较好的应用前景。用金属有机物化学气相沉积方法,在r面蓝宝石上生长了Mg注入非极性a面GaN薄膜,并选取650℃、750℃、850℃这3个温度对Mg注入GaN薄膜进行退火温度研究。用原子力显微镜、光致发光谱、拉曼谱研究了材料的表面形貌、光学性质以及面内应力。结果表明,在750℃退火时效果较好。
杨扬李培咸周小伟贾文博赵晓云
关键词：非极性氮化镓原子力显微镜光致发光谱拉曼谱
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共1页<1>
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