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马梨

作品数：1 被引量：5H指数：1
供职机构：西安交通大学能源与动力工程学院更多>>
相关领域：核科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇核科学技术

主题

  • 1篇碳化硅
  • 1篇中子
  • 1篇GEANT4

机构

  • 1篇西安交通大学

作者

  • 1篇臧航
  • 1篇杨涛
  • 1篇贺朝会
  • 1篇张鹏
  • 1篇马梨
  • 1篇席建琦
  • 1篇郭达禧

传媒

  • 1篇原子能科学技...

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Geant4模拟中子在碳化硅中产生的位移损伤被引量：5
2013年
利用Geant4模拟了中子在碳化硅中的输运过程,计算了不同能量中子产生的位移缺陷数目,获得了14.1MeV中子产生的位移缺陷分布。研究了中子产生位移损伤过程的影响要素,分析了弹性散射与去弹过程对位移损伤产生过程的贡献,并对中子各阶段反应产生的位移缺陷分布及对总体缺陷分布的影响进行了探讨。
郭达禧贺朝会臧航席建琦马梨杨涛张鹏
关键词：中子碳化硅GEANT4
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