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郭达禧

作品数：2 被引量：10H指数：2
供职机构：西安交通大学能源与动力工程学院更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：核科学技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇核科学技术

主题

  • 2篇中子
  • 1篇亚微米
  • 1篇深亚微米
  • 1篇数值模拟
  • 1篇碳化硅
  • 1篇中子辐照
  • 1篇微米
  • 1篇SOI
  • 1篇GEANT4
  • 1篇超深亚微米
  • 1篇NMOSFE...
  • 1篇值模拟

机构

  • 2篇西安交通大学

作者

  • 2篇贺朝会
  • 2篇郭达禧
  • 1篇张国和
  • 1篇臧航
  • 1篇杨涛
  • 1篇张鹏
  • 1篇马梨
  • 1篇席建琦
  • 1篇胡志良

传媒

  • 2篇原子能科学技...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2011
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Geant4模拟中子在碳化硅中产生的位移损伤被引量：5
2013年
利用Geant4模拟了中子在碳化硅中的输运过程,计算了不同能量中子产生的位移缺陷数目,获得了14.1MeV中子产生的位移缺陷分布。研究了中子产生位移损伤过程的影响要素,分析了弹性散射与去弹过程对位移损伤产生过程的贡献,并对中子各阶段反应产生的位移缺陷分布及对总体缺陷分布的影响进行了探讨。
郭达禧贺朝会臧航席建琦马梨杨涛张鹏
关键词：中子碳化硅GEANT4
超深亚微米SOI NMOSFET中子辐照效应数值模拟被引量：5
2011年
考虑3种特征尺寸的超深亚微米SOI NMOSFET的中子辐照效应。分析了中子位移辐照损伤机理,数值模拟了3种器件输出特性曲线随能量为1MeV的等效中子在不同辐照注量下的变化关系及中子辐照环境下器件工艺参数对超深亚微米SOI NMOSFET的影响。数值模拟部分结果与反应堆中子辐照实验结果一致。
胡志良贺朝会张国和郭达禧
关键词：中子辐照超深亚微米SOINMOSFET数值模拟
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