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陆顺其

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：云南大学光电信息材料研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金云南省自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇第一性原理
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇吸附能
  • 1篇密度泛函
  • 1篇密度泛函理论
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体性能
  • 1篇化学吸附
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇硅基
  • 1篇泛函
  • 1篇泛函理论
  • 1篇SI
  • 1篇SI(100...
  • 1篇表面化学
  • 1篇表面化学吸附

机构

  • 2篇云南大学

作者

  • 2篇王茺
  • 2篇杨宇
  • 2篇靳映霞
  • 2篇陆顺其
  • 2篇卜琼琼

传媒

  • 1篇红外技术
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 2篇2012
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Ge在Si(100)-2×1表面化学吸附的第一性原理研究被引量：2
2012年
应用密度泛函理论,构造了具有非对称二聚体结构的Si(100)-2×1重构表面,在系统研究了其表面结构及特性的基础上,计算了Ge在不同吸附位置的表面吸附能,以及吸附前后的表面投影态密度。计算结果表明:Ge原子在基位(pedestal)吸附最稳定。另外,在吸附Ge原子之后,我们得到了一个具有完整对称性的特殊Si原子二聚体结构。此结构中相邻的两个二聚体链互相平行且分别与Si表面平行,每对二聚体Si原子呈对称分布。
陆顺其王茺靳映霞卜琼琼杨宇
关键词：化学吸附密度泛函理论
自填隙原子对Si晶体性能影响的研究被引量：1
2012年
运用第一性原理的超软赝势方法研究了Si晶体中自填隙形成的多种缺陷对体Si电子结构和光学性质的影响。理论计算表明,缺陷使体Si材料的晶格常数、体积、电学和光学性质等产生了不同程度的改变,空位缺陷导致Si晶体材料吸收光谱红移。
卜琼琼王茺靳映霞陆顺其杨宇
关键词：第一性原理硅基光学性质
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共1页<1>
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