谢和平
- 作品数：3 被引量：9H指数：2
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 锆钛酸铅铁电薄膜电容的研究现状被引量：1
- 2006年
- 介绍了Pb(Zr,Ti)O3,(PZT)铁电薄膜电容的研究现状,列举了不同电极和缓冲层所制备出的PZT铁电薄膜电容的结构,并对不同结构进行了分析比较,结果表明由于氧化物电极材料的各种优越性,已被证明可用于替代现有的金属电极材料,从而有效解决了PZT薄膜铁电性能退化的问题,是未来铁电薄膜电容的发展方向。
- 张洪伟张树人杨艳谢和平相龙成
- 关键词：PZT电容电极材料氧化物
- 薄膜体声波谐振器的研究进展被引量：6
- 2006年
- 薄膜体声波滤波器作为一种发展高频滤波器的全新解决方案,比声表面波滤波器(SAWF)、陶瓷介质滤波器具有更高的Q值,低的损耗和在高频时具备更高的功率承受能力。介绍了薄膜体声波谐振器的研究历史和研究概况,薄膜体声波谐振器的原理和3种典型结构,具体阐述了薄膜体声波谐振器的关键技术及其材料体系的要求。
- 谢和平张树人杨成韬张洪伟叶井红
- 关键词：微电子机械系统薄膜体声波谐振器
- 退火对射频磁控溅射氧化锌薄膜性能的影响被引量：2
- 2008年
- 采用射频磁控溅射技术在SiO2／Si上淀积高C轴取向的ZnO薄膜，在氧气和氩气的混合气氛、不同温度（400～900℃）下进行快速热退火处理。利用X-射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、扫描电镜（SEM）和透射电镜（TEM）对薄膜结构、形貌与界面状态性能进行了分析。研究结果表明，ZnO薄膜的晶粒尺寸随着退火温度的升高而增大，衍射峰强度增强，峰位随之偏移；SEM分析显示薄膜呈柱状生长，表现出较好的C轴取向性；TEM分析表明ZnO与下电极Pt是呈共格生长，晶格匹配很好。
- 谢和平张树人杨成韬张洪伟杨艳
- 关键词：快速热退火ZNO薄膜C轴取向
