杨艳
- 作品数：7 被引量：15H指数：2
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 锆钛酸铅铁电薄膜电容的研究现状被引量：1
- 2006年
- 介绍了Pb(Zr,Ti)O3,(PZT)铁电薄膜电容的研究现状,列举了不同电极和缓冲层所制备出的PZT铁电薄膜电容的结构,并对不同结构进行了分析比较,结果表明由于氧化物电极材料的各种优越性,已被证明可用于替代现有的金属电极材料,从而有效解决了PZT薄膜铁电性能退化的问题,是未来铁电薄膜电容的发展方向。
- 张洪伟张树人杨艳谢和平相龙成
- 关键词：PZT电容电极材料氧化物
- 铁电薄膜漏电流研究现状被引量：9
- 2006年
- 铁电薄膜的漏电流问题一直是困扰铁电存储器发展的重要问题。文章介绍了铁电薄膜的主要导电机理如热激发电子电导、空间电荷限制电流(SCLC)、Pool-Frenkel发射、肖特基发射等,影响漏电流大小的主要因素如薄膜厚度、工艺温度、晶粒尺寸、电极材料、搀杂离子等。同时介绍了漏电流对铁电薄膜极化和抗疲劳特性的影响。
- 杨艳张树人刘敬松张洪伟刘蒙
- 关键词：铁电薄膜漏电流导电机理
- 硅基锆钛酸铅铁电薄膜异质结构的研究进展
- 2006年
- 介绍了锆钛酸铅铁电薄膜异质结构的研究进展,举例说明了锆钛酸铅薄膜异质结构的特性,并进行了分析比较。氧化物电极结构将替代现有的金属电极结构,从而有效解决铁电性能的退化问题,是未来铁电薄膜异质结构的发展方向。
- 张洪伟校峰杨艳
- 关键词：铁电薄膜锆钛酸铅
- La-Cu取代M型钡铁氧体离子占位研究
- M型钡铁氧体由于具有高的磁晶各向异性,高的饱和磁化强度,以及较大的居里温度而广泛地应用于环行器/隔离器等微波器件设计.通过离子取代可大幅提高M 型钡铁氧体材料的磁性能,其中尤以稀土离子取代最为显著.而分析离子占位可很好地...
- 邬传健余忠孙科杨艳郭启广蒋晓娜兰中文
- 锆钛酸铅薄膜化学刻蚀技术研究被引量：1
- 2008年
- 介绍了一种刻蚀效果良好的应用于铁电存储器(FeRAM)的PZT薄膜的化学湿法化学刻蚀方法。采用典型的半导体光刻工艺,通过研究不同的刻蚀剂对PZT薄膜的化学刻蚀效果表明,利用BOE/HNO3/CH3COOH/HCl/NH4Cl/EDTA刻蚀液刻蚀PZT薄膜可得图形质量及铁电性能良好的铁电电容,能满足铁电存储器对铁电薄膜微图形化要求。
- 杨艳刘敬松张树人翟亚红
- 关键词：锆钛酸铅铁电性能
- 退火对射频磁控溅射氧化锌薄膜性能的影响被引量：2
- 2008年
- 采用射频磁控溅射技术在SiO2／Si上淀积高C轴取向的ZnO薄膜，在氧气和氩气的混合气氛、不同温度（400～900℃）下进行快速热退火处理。利用X-射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、扫描电镜（SEM）和透射电镜（TEM）对薄膜结构、形貌与界面状态性能进行了分析。研究结果表明，ZnO薄膜的晶粒尺寸随着退火温度的升高而增大，衍射峰强度增强，峰位随之偏移；SEM分析显示薄膜呈柱状生长，表现出较好的C轴取向性；TEM分析表明ZnO与下电极Pt是呈共格生长，晶格匹配很好。
- 谢和平张树人杨成韬张洪伟杨艳
- 关键词：快速热退火ZNO薄膜C轴取向
- 铁电存储器集成工艺中关键技术研究进展被引量：2
- 2006年
- 铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器与传统的半导体存储器相比有很多优点,其关键集成工艺技术有铁电薄膜制备技术、电极制备、刻蚀技术、氢阻技术、金属互连技术、钝化技术。简要介绍了这些工艺技术的研究现状,并讨论了相关工艺对性能的影响。
- 杨艳张树人刘敬松杨成韬
- 关键词：铁电薄膜铁电存储器
