您的位置: 专家智库 > >

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇发光
  • 2篇氮化镓
  • 2篇电致发光
  • 2篇电致发光器件
  • 2篇平板显示
  • 2篇稀土
  • 2篇发光机理
  • 2篇发光器件
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射法
  • 1篇溅射法制备
  • 1篇光电子能谱
  • 1篇光谱
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光光谱
  • 1篇发光光谱
  • 1篇PL

机构

  • 3篇深圳大学
  • 1篇华中科技大学

作者

  • 3篇刘文
  • 3篇张勇
  • 2篇王质武
  • 2篇杨清斗
  • 2篇卫静婷
  • 2篇唐伟群
  • 2篇张浩希
  • 1篇吕文中
  • 1篇许鸿彬

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2007
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
磁控溅射法制备AlN:Er薄膜的XPS和PL研究被引量:2
2010年
采用磁控溅射法,以Al/Er合金为靶材,在Si衬底上制备出AlN:Er薄膜。XRD分析结果表明样品为非晶态。XPS分析结果表明,制备的AlN具有良好的化学计量比,Er的含量为1at%左右,氧很难避免,含量约为10%。光致发光光谱的测试表明,样品的PL光谱呈现宽谱之上叠加尖峰谱的特征,其中,尖荧光峰谱源于Er3+的4f轨道直接激发跃迁,而宽谱则与Er3+的4f轨道的间接激发跃迁和O杂质有关。
许鸿彬刘文张勇吕文中
关键词:X射线光电子能谱光致发光光谱
稀土掺杂氮化镓的发光机理、制备方法及其电致发光器件的应用
2007年
介绍了稀土掺杂氮化镓(GaN:RE)的发光机理及其掺杂的方法(热扩散、离子注入和原位掺杂),对各种方法的优势及其存在的问题进行了点评,综述了近年来国内外稀土掺杂GaN的研究进展及其相关电致发光器件在平板显示领域的应用。
王质武刘文张勇杨清斗卫静婷唐伟群张浩希
关键词:稀土氮化镓电致发光平板显示
稀土掺杂氮化镓的发光机理、制备方法及其电致发光器件的应用
介绍了稀土掺杂氮化镓(GaN:RE)的发光机理及其掺杂的方法(热扩散、离子注入和原位掺杂),对各种方法的优势及其存在的问题进行了点评.综述了近年来国内外稀土掺杂 GaN 的研究进展及其相关电致发光器件在平板显示领域的应用...
王质武刘文张勇杨清斗卫静婷唐伟群张浩希
关键词:稀土氮化镓电致发光平板显示
文献传递
共1页<1>
聚类工具0