您的位置： 专家智库 > >

顾卿

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇品质因素
  • 1篇扩散法
  • 1篇击穿电压
  • 1篇变容管
  • 1篇C-V特性
  • 1篇超突变结

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇郝达兵
  • 1篇顾卿
  • 1篇钱刚

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
超突变结变容管的设计模型被引量：1
2010年
通过建立一种超突变结变容二极管的杂质浓度分布模型,并基于求解一维泊松方程、雪崩击穿条件方程和电阻计算公式,推导了该模型的C-V特性、VBR、RS和Q值,设计了用于分析该模型的模拟软件,阐述了模拟软件的运行流程。基于该模型和模拟软件,采用外延-扩散的方法研制了一种硅超突变结变容二极管,采用C-V法测量了外延材料的杂质浓度分布,结果表明材料的浓度分布与模拟结果相符。研制的变容二极管的主要参数：击穿电压VBR为50~55 V;电容变化比（C-4V/C-8V）为2.42~2.44;VR=-4 V,f=50 MHz时的品质因素Q为150~180,实测参数与模拟结果吻合得很好。设计模型和模拟软件得到了验证。
钱刚郝达兵顾卿
关键词：超突变结C-V特性击穿电压品质因素
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0