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钱刚

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇上台
  • 1篇片式
  • 1篇品质因素
  • 1篇芯片
  • 1篇扩散法
  • 1篇化合物半导体
  • 1篇击穿电压
  • 1篇发生器
  • 1篇分立器件
  • 1篇半导体
  • 1篇变容管
  • 1篇C-V特性
  • 1篇超突变结

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇钱刚
  • 1篇孔月婵
  • 1篇朱健
  • 1篇郝达兵
  • 1篇顾卿

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2010
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种一片式梳谱发生器芯片及其制备方法
本发明公开了一种一片式梳谱发生器芯片及其制备方法，包括化合物半导体单片匹配电路、金属键合层、阶跃二极管薄膜和片内互连结构；所述化合物半导体单片匹配电路位于化合物半导体衬底上，包含片上电阻、电容、电感和微带匹配电路中的一种...
戴家赟 黄港膑 王飞朱健钱刚孔月婵 潘晓枫
超突变结变容管的设计模型被引量：1
2010年
通过建立一种超突变结变容二极管的杂质浓度分布模型,并基于求解一维泊松方程、雪崩击穿条件方程和电阻计算公式,推导了该模型的C-V特性、VBR、RS和Q值,设计了用于分析该模型的模拟软件,阐述了模拟软件的运行流程。基于该模型和模拟软件,采用外延-扩散的方法研制了一种硅超突变结变容二极管,采用C-V法测量了外延材料的杂质浓度分布,结果表明材料的浓度分布与模拟结果相符。研制的变容二极管的主要参数：击穿电压VBR为50~55 V;电容变化比（C-4V/C-8V）为2.42~2.44;VR=-4 V,f=50 MHz时的品质因素Q为150~180,实测参数与模拟结果吻合得很好。设计模型和模拟软件得到了验证。
钱刚郝达兵顾卿
关键词：超突变结C-V特性击穿电压品质因素
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