朱磊
- 作品数：1 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- β-Ga_2O_3(100)面的CMP研究及优化被引量：4
- 2017年
- 主要研究了Czochralski法生长的β-Ga_2O_3单晶片的化学机械抛光(CMP)。采用酸性硅溶胶溶液作为抛光液,对经过切割、机械抛光后的10 mm×10 mmβ-Ga_2O_3单晶片进行了CMP实验。通过金相显微镜观察到4 h的抛光过程中,单晶片表面逐渐平坦化,经原子力显微镜(AFM)测试,单晶片的表面粗糙度达到了0.174 nm。在采用AxDyOz和LClk的混合酸性溶液对β-Ga_2O_3单晶片进行抛光后,获得了更好的晶片表面状态和去除速率。通过实验得出,在采用酸性硅溶胶溶液对β-Ga_2O_3单晶片进行CMP时,单晶片表面被酸性溶液腐蚀,然后通过SiO_2粒子的磨削作用使表面达到平坦化。而优化实验中,采用AxDyOz和LClk混合酸性溶液中原位产生的DlOm粒子作为磨粒,抛光效果更佳。
- 徐世海李晖高飞练小正朱磊陈阳
- 关键词：氧化镓抛光液平坦化硅溶胶
