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陈长友

作品数：5 被引量：4H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 4篇电路
  • 4篇集成电路
  • 3篇单片
  • 3篇单片微波
  • 3篇单片微波集成...
  • 3篇微波集成
  • 3篇微波集成电路
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇迁移率
  • 2篇赝配高电子迁...
  • 2篇晶体管
  • 2篇高电子迁移率
  • 2篇高电子迁移率...
  • 2篇倍频
  • 2篇倍频器
  • 2篇MMIC
  • 1篇电路技术
  • 1篇信号
  • 1篇信号接收
  • 1篇有源

机构

  • 5篇中国电子科技...

作者

  • 5篇陈长友
  • 2篇吴洪江
  • 2篇赵宇
  • 2篇刘会东
  • 1篇张立森
  • 1篇敦少博
  • 1篇宋旭波
  • 1篇吕元杰
  • 1篇冯志红
  • 1篇方园
  • 1篇刘永强
  • 1篇李远鹏

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇现代信息科技

年份

  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2017
  • 1篇2015
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种螺旋巴伦结构的毫米波二倍频器MMIC设计被引量：4
2015年
基于Ga As肖特基二极管工艺,研制了一款无源毫米波二倍频器单片微波集成电路（MMIC）。该电路的拓扑结构包含并联二极管对,输入巴伦和输入、输出匹配电路,其中输入巴伦为螺旋型Marchand巴伦,使电路输入输出端具有奇偶次谐波相互隔离的特点,不仅抑制了输出奇次谐波,而且增加了线间的耦合,显著减小了芯片的面积。在设计软件对电路进行仿真优化的基础上,经过实际流片并对芯片进行了测试,实现了输入功率为15 d Bm时,输出频率在44~60 GHz处,输出功率大于-1 d Bm,变频损耗小于16 d B,对基波和各次谐波抑制度大于30 d Bc的技术指标。芯片实际尺寸为1.45 mm×1.1 mm。
陈长友吴洪江赵宇
关键词：倍频器肖特基二极管砷化镓毫米波
一种射频功率放大器
本发明提供一种射频功率放大器，包括功率放大模块和转换模块，功率放大模块包括第一端口、第一晶体管和第二端口，用于对接收到的射频信号进行功率放大；当射频功率放大器处于信号发射状态时，转换模块用于控制第一晶体管处于共源极工作，...
宋旭波吕元杰梁士雄陈长友刘永强张立森敦少博冯志红
文献传递
陷波器芯片
本发明公开了一种陷波器芯片，涉及集成电路技术领域；包括衬底；还包括制作在衬底上的传输微带线X1、滤波微带线X2、滤波微带线X3、扇形线S1和扇形线S2；信号输入端输入信号分成两路，信号输入端第一路连接传输微带线X1输入端...
陈长友方园吴洪江赵宇
文献传递
E波段GaAs PHEMT工艺有源六倍频器MMIC
2023年
基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款输出频率在E波段的有源六倍频器微波单片集成电路(MMIC)。片上集成六倍频器及输出驱动放大器,采用PHEMT管进行倍频,具有较高输出功率及较小的芯片尺寸。在片探针测试结果显示该倍频器芯片在输入功率5dBm时,输出66~88GHz频率范围内,输出功率大于13dBm,谐波抑制20dBc,功耗600 mW,芯片尺寸为3.0 mm×1.4 mm×0.07 mm。
陈长友刘会东崔璐
关键词：单片微波集成电路
2~6GHz高性能开关滤波器组MMIC
2023年
基于0.25μm GaAs E/D赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款2~6 GHz开关滤波器组单片微波集成电路(MMIC)芯片。片上集成了8路带通滤波器、输入、输出单刀八掷(SP8T)开关、3-8译码器和驱动器。通过输入、输出SP8T开关进行通道选择,采用三串两并结构,提高了通道间隔离度。带通滤波器组采用多级LC谐振器实现,最小、最大相对带宽分别为18%和100%,可用于宽带及窄带滤波器设计,具有通带插入损耗小,阻带抑制度高等优点。末级级联低通滤波器,实现远端寄生通带抑制大于35 dBc。在片探针测试结果显示,该开关滤波器组芯片在2~6 GHz频率范围内,每个带通滤波器的插入损耗均小于8.5 dB,阻带衰减为40 dB。该芯片具有通道多、功能复杂、集成度高的特点,可应用于宽带雷达系统进行频率预选。
李远鹏陈长友刘会东
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