- 1.3μm InAs/GaAs量子点侧向耦合浅刻蚀分布反馈激光器
- 2019年
- 为了简化工艺流程和减轻制备难度,提出了1.3μm分布反馈(distributed feedback,DFB)激光器的新型制作方法.该方法采用纯折射率侧向耦合(laterally coupled,LC)结构,将一阶光栅浅刻蚀在脊形波导两侧,避免了激光器材料的二次外延和光栅深刻蚀.采用非掺杂和p掺杂两种InAs/GaAs量子点(quantum dot,QD)样品来制备LC-DFB激光器.与采用传统方法制备的DFB激光器相比,非掺杂量子点LC-DFB激光器表现出了低的阈值电流,其值为1.12mA/量子点层;p掺杂量子点LC-DFB激光器表现出了较大的特征温度和斜率效率.在室温下,这种浅刻蚀的LC-DFB激光器实现了单纵模连续输出,边模抑制比(side mode suppression ratio,SMSR)高达51dB.同时,在不同的测试温度和注入电流下,这种激光器表现出了优良的波长稳定性.1.3μm浅刻蚀量子点LC-DFB激光器有望在远距离光纤通信领域实现巨大应用价值.
- 李齐柱伏霞张子旸王旭陈红梅侯春彩黄源清郭春扬闵嘉华
- 关键词：分布反馈激光器边模抑制比
- 纳米压印光刻工艺浅谈及其专利分析被引量：1
- 2015年
- 光刻技术是半导体及其相关产业发展和进步的关键技术之一,传统光刻技术有着各自的缺点,结构复杂,分辨率受限于衍射极限。随着在应用中技术问题的增多,寻找解决技术障碍的新方案、找到下一代可行的技术路径,备受人们的关注。在这场技术竞赛中,纳米压印工艺得到人们的普遍关注,它的分辨率不受限于衍射极限,图形的均一性符合大生产的要求,使得人们看到找到纳米技术的突破口的可能。本文统计、分析了全球纳米压印工艺的专利申请文件,并通过相关重点专利对纳米压印工艺进行了分析介绍,继而针对纳米压印工艺的发展所遇到的关键技术挑战进行了归纳。
- 张乐伏霞
- 关键词：纳米压印光刻
