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3.53×10^(-6)m/℃非带隙V_T/V_(th)互补偿CMOS电压基准被引量：1: 2006年; 提出了一种基于阈值电压Vth与热电压VT相互补偿的新型非带隙CMOS电压基准源。采用一种新型电路结构提取正比于Vth的电流,通过自偏置电流镜结构获得正比于两个三极管VBE之差的电流输出,两者在公共电阻上的线性叠加,实现Vth与VT的相互补偿。基于3·3V电源电压0·35μm标准CMOS工艺模型在CadanceSpectre仿真环境下对电路进行模拟验证,获得以下结果:输出基准电压为716·828mV,在-55℃^+125℃范围内,其温度系数为3·53×10-6m/℃;VDD在2·7V^4V之间变化时,输出电压变化率为1·346%。; 李栋沈路何波

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李栋