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郭啸

作品数：3 被引量：5H指数：2
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇电子迁移率
  • 2篇砷化镓
  • 2篇迁移率
  • 2篇微光
  • 2篇高电子迁移率
  • 2篇GAAS
  • 1篇电路
  • 1篇多功能芯片
  • 1篇数字电路
  • 1篇赝配高电子迁...
  • 1篇显微镜
  • 1篇芯片
  • 1篇晶体管
  • 1篇可靠性
  • 1篇可靠性评估
  • 1篇光刻
  • 1篇光刻机
  • 1篇红外
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇T型栅

机构

  • 3篇南京电子器件...

作者

  • 3篇林罡
  • 3篇郭啸
  • 1篇章军云
  • 1篇邹文静
  • 1篇贾洁
  • 1篇贾东铭
  • 1篇张磊

传媒

  • 2篇电子与封装
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
用248nm光刻机制作150nm GaAs PHEMT器件性能及可靠性评估
2016年
介绍了基于光刻机的150 nm T型栅Ga As PHEMT工艺,其中重点介绍了使用的shrink关键工艺步骤。利用新工艺在某100 mm Ga As工艺线上进行流片,并通过直流测试、loadpull测试、微波小信号测试以及环境试验、极限电压测试、高温步进试验,获得新工艺下制作的Ga As PHEMT的各项性能指标及可靠性。最后制作得到的器件在性能和通过直接光刻得到的PHEMT在性能和可靠性上基本在一个水平上,但是想要通过shrink工艺得到线宽更细的栅长需要进一步努力。
郭啸章军云林罡
关键词：砷化镓赝配高电子迁移率晶体管可靠性T型栅
基于EMMI技术的GaAs多功能芯片的失效分析被引量：2
2018年
GaAs多功能MMIC应用于微波毫米波整机系统,替代了以往多个单功能MMIC链接而成的方式,且技术愈发成熟。通过对GaAs多功能MMIC产品的失效分析,发现芯片工艺制程中的易发问题,以不断提升产品良率。借助EMMI (红外微光显微镜)技术,对一款GaAs多功能芯片某移相态不能恢复的故障现象进行分析,定位了失效点。结合微区结构分析在失效位置找出工艺缺陷,阐述了该缺陷造成芯片失效的过程和机理,并提出工艺制程改进方案。
周舟林罡于永洲郭啸贾洁
关键词：GAAS
基于EMMI的GaAs数字电路失效分析方法及案例被引量：3
2017年
介绍了基于EMMI的GaAs数字电路失效分析方法,并以一款24位串转并驱动器芯片输出端电平不能翻转的失效模式为案例,通过该方法找到了芯片互联层之间短路的故障。从该案例可以看出,基于EMMI的GaAs数字电路失效分析方法具有定位精确、高效快速的优点,可以为提升GaAs数字电路可靠性提供有力的技术支持,值得广泛应用。
郭啸王创国邹文静张磊林罡贾东铭
关键词：数字电路砷化镓
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