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张磊

作品数：2 被引量：4H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇电子迁移率
  • 2篇砷化镓
  • 2篇迁移率
  • 2篇高电子迁移率
  • 1篇电路
  • 1篇数字电路
  • 1篇微光
  • 1篇晶体管
  • 1篇加速寿命试验
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇SIN
  • 1篇氢
  • 1篇GAAS_P...
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应管
  • 1篇GAAS

机构

  • 2篇南京电子器件...

作者

  • 2篇林罡
  • 2篇贾东铭
  • 2篇张磊
  • 1篇彭龙新
  • 1篇邹文静
  • 1篇郭啸

传媒

  • 2篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
SiN钝化层对GaAs pHEMT低噪声放大器芯片耐氢效应能力的影响被引量：1
2018年
对两种不同钝化层状态的LNA芯片在不同氢气浓度下进行150℃、105h加速寿命试验。漏极电流监控曲线表明,加厚SiN钝化层器件在20%氢气浓度试验后仅下降约0.8%,试验前后电性能基本不变。通过加厚SiN钝化层有效提升了GaAs pHEMT低噪声放大器芯片在氢气氛围中的可靠工作寿命,这对于该类器件在组件中的实际应用具有重要意义。
贾东铭张磊彭龙新林罡林罡
关键词：砷化镓加速寿命试验
基于EMMI的GaAs数字电路失效分析方法及案例被引量：3
2017年
介绍了基于EMMI的GaAs数字电路失效分析方法,并以一款24位串转并驱动器芯片输出端电平不能翻转的失效模式为案例,通过该方法找到了芯片互联层之间短路的故障。从该案例可以看出,基于EMMI的GaAs数字电路失效分析方法具有定位精确、高效快速的优点,可以为提升GaAs数字电路可靠性提供有力的技术支持,值得广泛应用。
郭啸王创国邹文静张磊林罡贾东铭
关键词：数字电路砷化镓
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