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王忠芳

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 5篇碳化硅
  • 4篇单粒子
  • 4篇肖特基
  • 4篇二极管
  • 4篇反向漏电
  • 3篇肖特基二极管
  • 3篇金属
  • 3篇晶体管
  • 3篇高抗
  • 2篇电极
  • 2篇钝化层
  • 2篇氧化层
  • 2篇入射
  • 2篇漂移区
  • 2篇外延层
  • 2篇漏电
  • 2篇漏电流
  • 2篇结型
  • 2篇结型场效应
  • 2篇结型场效应晶...

机构

  • 11篇西安微电子技...

作者

  • 11篇王忠芳
  • 4篇唐磊
  • 4篇王健
  • 2篇姚军
  • 1篇刘佑宝
  • 1篇张文鹏
  • 1篇吴龙胜
  • 1篇赵德益
  • 1篇谢成民

传媒

  • 1篇武汉大学学报...

年份

  • 6篇2023
  • 1篇2022
  • 3篇2021
  • 1篇2011
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于PD SOI的GCNMOS电源箝位保护电路
2011年
随着绝缘体上硅(SOI)技术的快速进展,SOI集成电路的静电放电(ESD)保护已成为一个主要的可靠性问题.研究了基于PD SOI工艺的栅耦合N型金属氧化物半导体管(GCNMOS)电源箝位保护电路,以形成全芯片ESD保护网络.利用HSPICE仿真的方法,可以准确地确定R值和C值,以确定合理的触发电压.根据PD SOI工艺特点设计了基于不同体偏置类型、不同源漏注入类型和不同栅宽的NMOS管的各种GCNMOS电源箝位保护电路,并进行了MPW流片及TLP测试分析,得到源漏深注、体悬浮的H型栅NMOS组成的GCN MOS电源箝位保护电路的抗ESD能力最好,单位宽度(1μm)抗HBM ESD能力可达9.25 V.
王忠芳谢成民赵德益吴龙胜刘佑宝
关键词：保护电路
一种二极管及其制备方法
一种二极管，包括管壳、键合丝、芯片、管壳底座、管壳引出端以及电流泄放模块；电流泄放模块和芯片位于管壳内部，且由上到下依次设置在管壳底座上；键合丝一端连接电流泄放模块，另一端与管壳引出端相连；电流泄放模块在芯片上的正投影面...
侯斌杨晓文李照鲁红玲王忠芳王双龙胡长青
文献传递
一种低漏电SiC肖特基二极管及其制作方法
本发明提供一种低漏电SiC肖特基二极管及其制作方法，目的是减少SiC肖特基二极管反向漏电流，降低反向阻断损耗，提高电路效率，包括以下步骤：位于碳化硅晶圆正面N+衬底上的碳化硅外延层进行光刻胶涂覆，并光刻出对版标记；在碳化...
侯斌李照王晨霞王忠芳杨晓文胡长青
文献传递
一种可提高抗单粒子性能的内嵌NPN碳化硅肖特基二极管结构
本发明公开一种可提高抗单粒子性能的内嵌NPN碳化硅肖特基二极管结构，阴极金属上设置有SiC N+衬底，N‑外延层与SiC N+衬底之间设置有N型缓冲层，PWell内设置有P+，P+的两侧均连接有N+，N+、PWell和N...
程鹏刚唐磊王忠芳王晨霞刘建军胡长青杨晓文鲁红玲侯斌李照
一种低漏电SiC肖特基二极管及其制作方法
本发明提供一种低漏电SiC肖特基二极管及其制作方法，目的是减少SiC肖特基二极管反向漏电流，降低反向阻断损耗，提高电路效率，包括以下步骤：位于碳化硅晶圆正面N+衬底上的碳化硅外延层进行光刻胶涂覆，并光刻出对版标记；在碳化...
侯斌李照王晨霞王忠芳杨晓文胡长青
一种提高抗单粒子性能的埋P+SiCJBS结构
本发明公开了一种提高抗单粒子性能的埋P+SiC JBS结构，包括阴极金属、阳极金属、SiC N+衬底、N型缓冲层、N‑外延层、P+埋层和JBS接触P+，所述SiC N+衬底的上方设置N型缓冲层和N‑外延层，所述N‑外延层...
程鹏刚唐磊王晨霞王忠芳刘建军胡长青杨晓文侯斌李照王健
一种抗辐照结型场效应晶体管的制作方法
本发明公开了一种抗辐照结型场效应晶体管的制作方法，包括以下过程，在P型硅衬底形成P型外延层，在P型外延层形成第一介质层；在第一介质层上进行光刻形成保护环区；对保护环区进行P型注入，形成P型掺杂区；在P型外延层的第一介质层...
杨晓文王健王忠芳侯斌李照胡长青王英民
文献传递
一种抗辐照结型场效应晶体管的制作方法
本发明公开了一种抗辐照结型场效应晶体管的制作方法，包括以下过程，在P型硅衬底形成P型外延层，在P型外延层形成第一介质层；在第一介质层上进行光刻形成保护环区；对保护环区进行P型注入，形成P型掺杂区；在P型外延层的第一介质层...
杨晓文王健王忠芳侯斌李照胡长青王英民
一种提高抗单粒子性能的倒T型P+碳化硅JBS结构
本发明公开了一种提高抗单粒子性能的倒T型P+碳化硅JBS结构；碳化硅N+衬底的下表面为阴极金属，碳化硅N+衬底上为N型缓冲层和N‑外延层，N型缓冲层的浓度大于N‑外延层的浓度，N‑外延层的上表面内间隔均匀分布P+，N‑外...
程鹏刚唐磊王忠芳杨晓文刘建军杨庚王昕王晨霞黄山圃姚军王健
一种提高抗单粒子性能的埋SiO2 SiC JBS结构
本发明提供一种提高抗单粒子性能的埋SiO2SiC JBS结构，包括阴极金属和阳极金属，以及依次设置于阴极金属和阳极金属之间的多级N型缓冲层，所述多级N型缓冲层靠近阴极金属一侧设置有SiC N+衬底，靠近阳极金属一侧依次设...
程鹏刚唐磊王晨霞王忠芳杨晓文刘建军张文鹏王昕黄山圃鲁红玲姚军
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