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赵园园

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：北京科技大学新材料技术研究院更多>>
发文基金：国家创新方法工作专项更多>>
相关领域：化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程

主题

  • 1篇热处理温度
  • 1篇扩散
  • 1篇HFO
  • 1篇HFO2薄膜

机构

  • 1篇北京科技大学
  • 1篇清华大学

作者

  • 1篇曹江利
  • 1篇严楷
  • 1篇杨立平
  • 1篇赵园园

传媒

  • 1篇陶瓷学报

年份

  • 1篇2017
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
氮气气氛下热处理温度对HfO_2薄膜基底界面结构的影响
2017年
通过电子束蒸发镀膜方法在SiO_2(native)/n-Si(100)基底上沉积HfO_2薄膜,采用俄歇电子能谱、原子力显微镜、掠入射X射线衍射以及X射线光电子能谱研究氮气气氛下热处理温度对HfO_2薄膜基底界面结构的影响。结果表明氮气气氛下热处理能够引起HfO_2薄膜基底界面层的宽化,并且随着热处理温度的提高,基底界面层内氧含量以及界面宽度会不断增加。当处理温度升至900℃时,薄膜基底界面宽度相对于沉积态的增加了约20 nm;并且薄膜表面粗糙度由起初的0.184 nm增加至1.047 nm,此时HfO_2薄膜层内的缺陷密度达到最大。薄膜层缺陷密度的增多能够引起基底界面层内氧含量的增加,进而导致了基底界面层化学结构的改变。
杨立平严楷赵园园曹江利
关键词：HFO2薄膜扩散
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