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文献类型

  • 1篇国内会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇异质结
  • 1篇迁移
  • 1篇迁移率
  • 1篇截止频率
  • 1篇晶体管
  • 1篇蓝宝
  • 1篇蓝宝石
  • 1篇蓝宝石衬底
  • 1篇HFET
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管
  • 1篇衬底

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇张雄文
  • 1篇邢东
  • 1篇何泽召
  • 1篇敦少博
  • 1篇尹甲运
  • 1篇房玉龙
  • 1篇冯志红
  • 1篇盛百城
  • 1篇刘波
  • 1篇韩婷婷

传媒

  • 1篇第十三届全国...

年份

  • 1篇2012
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
蓝宝石衬底上高性能InAlN/GaN异质结及场效应晶体管研究
使用金属有机物气相外延方法,在蓝宝石(0001)衬底上生长高性能InAlN/GaN异质结并制备了异质结场效应晶体管.利用原子力显微镜和Hall 测试等方法研究了InAlN/GaN异质结材料特性.研究表明材料表面原子台阶平...
房玉龙冯志红敦少博尹甲运刘波盛百城何泽召韩婷婷张雄文邢东
关键词:HFET迁移率蓝宝石截止频率
文献传递
共1页<1>
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