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岳国珍

作品数：6 被引量：25H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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程文超
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氧化硅 光致发光 Δ掺杂 砷化镓 微结构
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廖显伯
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：太阳电池 非晶硅 H A-SI 砷化镓
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马智训
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：光致发光 纳米硅 氧化硅 纳米硅薄膜 光学特性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何杰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：光致发光 氧化硅 SIO 反应机理 金属薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王永谦
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：微结构 H A-SI 光致发光 X
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔光临
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：A-SI H 微结构 非晶硅 太阳电池
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刁宏伟
供职机构：中国科学院电工研究所
研究主题：太阳电池 硅 异质结太阳电池 非晶硅 A-SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陆大成
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 MOVPE GAN MOVPE生长 MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘祥林
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 氮化物 MOVPE 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪度
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MOVPE 氮化镓 GAN MOVPE生长 英文
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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