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陈高鹏

作品数：29 被引量：5H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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合作作者

领域

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机构

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资助

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传媒

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地区

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共 20 条 记 录，以下是 1-10
刘新宇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 衬底 外延层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
金智
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：石墨烯 金属 场效应晶体管 光刻胶 电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴旦昱
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：ADC 电路 数模转换器 模数转换器 累加器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈晓娟
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：HEMT ALGAN/GAN GAN KU波段 ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
武锦
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：数模转换器 ADC 模数转换器 累加器 流水线ADC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李滨
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：KU波段 微波开关 场效应晶体管 内匹配 高隔离度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁婷婷
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：ALGAN/GAN_HEMT DOHERTY功率放大器 氮化镓 KU波段 微带型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈中子
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：KU波段 微带型 微波开关 混合集成电路 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
阎跃鹏
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：滤波器 压控振荡器 跨导放大器 射频 跨导
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王显泰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：INGAP/GAAS_HBT 功率放大器 磷化铟 金属 INP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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