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孙瑞泽

作品数：66 被引量：7H指数：2
供职机构：电子科技大学更多>>
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陈万军
供职机构：电子科技大学
研究主题：漂移区 导通压降 极区 脉冲功率 半导体技术
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张波
供职机构：电子科技大学
研究主题：功率半导体器件 半导体功率器件 导通压降 导电类型 电能传输系统
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏云
供职机构：电子科技大学
研究主题：漂移区 极区 关断损耗 导通压降 反向恢复
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘超
供职机构：电子科技大学
研究主题：导通压降 漂移区 极区 双极型晶体管 晶闸管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴毅
供职机构：电子科技大学
研究主题：MOSFET 反向恢复 肖特基接触 绝缘介质 肖特基二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈万军
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题：氮化镓 击穿电压 IGBT 脉冲放电 ALGAN/GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
阮建新
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题：MCT 脉冲放电 IGBT 绝缘栅晶体管 DI/DT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
肖琨
供职机构：电子科技大学
研究主题：半导体技术 K-分布 晶闸管 分层小区系统 极化
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨骋
供职机构：电子科技大学
研究主题：半导体技术 晶闸管 阴极 场控晶闸管 PIN管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李佳
供职机构：电子科技大学
研究主题：势垒层 氮化镓 反向漏电流 肖特基 导通压降
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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