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杨安丽

作品数：9 被引量：5H指数：1
供职机构：青岛科技大学更多>>
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地区

  • 13个北京市
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共 26 条 记 录，以下是 1-10
刘祥林
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 氮化物 MOVPE 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏鸿源
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：非极性 氮化镓 锌源 氮化铝 铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨少延
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 生长温度 氮化镓 非极性 协变
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王占国
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 量子级联激光器 砷化镓 衬底 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱勤生
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：镓 铟 非极性 金属有机化合物 锌源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭严
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：铟 缓冲层 金属有机化合物 INN薄膜 镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋华平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：铟 缓冲层 金属有机化合物 INN薄膜 镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑高林
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：铟 缓冲层 INN薄膜 镓 氮源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王振华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MOCVD 氧化锌 ZNO 甲醇 生长温度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
崔作林
供职机构：青岛科技大学
研究主题：催化剂 纳米 熔点 一氧化碳 纳米镍
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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