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潘钟

作品数:29 被引量:63H指数:5
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
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领域

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机构

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  • 1个大连理工大学
  • 1个北方交通大学
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资助

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传媒

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  • 11个科学通报

地区

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  • 1个广东省
63 条 记 录,以下是 1-10
吴荣汉
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:GAAS 多量子阱 砷化镓 垂直腔面发射激光器 激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林耀望
供职机构:南开大学泰达应用物理学院弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室
研究主题:GAAS 砷化镓 MBE生长 量子阱激光器 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李联合
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延生长 量子阱激光器 GAAS 长波长 GA
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄永箴
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:微腔激光器 半导体激光器 激光器 微腔 谐振腔
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
牛智川
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 量子点 GAAS 分子束外延生长 超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周增圻
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 GAAS MBE生长 分子束外延 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄永清
供职机构:北京邮电大学
研究主题:光探测器 光电探测器 光通信 光纤光栅 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任晓敏
供职机构:北京邮电大学
研究主题:光探测器 光电探测器 GAAS 纳米线 微结构光纤
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈弘达
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:光子晶体 垂直腔面发射激光器 电极 硅基 CMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
倪海桥
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:量子点 分子束外延 GAAS 纳米线 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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