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贺威

作品数：137 被引量：54H指数：4
供职机构：深圳大学更多>>
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地区

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共 76 条 记 录，以下是 1-10
刘新科
供职机构：深圳大学
研究主题：氮化镓 肖特基二极管 场效应晶体管 欧姆接触电极 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黎晓华
供职机构：深圳大学
研究主题：氮化镓 肖特基二极管 刻蚀 金属膜 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张正选
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 总剂量辐射效应 MOS器件 绝缘体上硅 总剂量效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林峰
供职机构：深圳大学
研究主题：氮化镓 肖特基二极管 静态功耗 场板结构 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴庆阳
供职机构：深圳大学
研究主题：单粒子瞬态脉冲 单粒子翻转 锁存器 时钟信号 双模冗余
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张恩霞
供职机构：上海工程技术大学材料工程学院
研究主题：SOI SIMOX 绝缘体上硅 SOI材料 抗辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱聪
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：总剂量辐射效应 沟道 总剂量辐射 场区 绝缘体上硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
田浩
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：总剂量辐射效应 总剂量辐射 SOI 硅 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高致慧
供职机构：深圳大学
研究主题：石墨烯 瞬态效应 电光调制器 NO 基于FPGA
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
俞文杰
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：沟道 图形化 硅 衬底 晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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