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徐永刚

作品数:7 被引量:16H指数:3
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

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10 条 记 录,以下是 1-10
钟世昌
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAN 内匹配 氮化镓 S波段 功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
唐世军
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAN 功率放大器 功率管 内匹配 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈辰
供职机构:东南大学
研究主题:高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任春江
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:高电子迁移率晶体管 氮化镓 ALGAN/GAN_HEMT ALGAN/GAN GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王义
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAAS HFET C波段 干法刻蚀 功率管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡昱
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:C波段 晶体管 内匹配 大功率 KU波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈晓青
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:功率放大器 内匹配 S波段 大功率 红外热像仪
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈韬
供职机构:华莹电子有限公司
研究主题:GAN 功率管 P波段 氮化镓 微波功率管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨兴
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:氮化镓 GAN W 场板 S波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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