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邵红旭

作品数：5 被引量：5H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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共 8 条 记 录，以下是 1-8
韩郑生
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 建模方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙宝刚
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：绝缘栅双极晶体管 闩锁 IGBT器件 槽栅 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴峻峰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 英文 NMOSFETS PDSOI BREAKDOWN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钟兴华
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI CMP 光刻胶 金属栅 平坦化
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨建军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：AR GATE BREAKDOWN SOI PARTIAL
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
康晓辉
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：波带片 纳米压印 高分辨率 电子束 数据研究
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
海潮和
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 PDSOI 集成电路 电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李多力
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：埋氧层 SOI 绝缘体上硅 隔离区 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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