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尹志军

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供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
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共 12 条 记 录，以下是 1-10
李忠辉
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：氮化物 成核 单晶薄膜 氮化镓 氮化铝
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高汉超
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：发射极 基极 外延片 超晶格结构 超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱志明
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：硅衬底 碳化硅薄膜 载气 超晶格 层数
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭怀新
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：氮化镓晶体管 氮化镓器件 键合 金刚石 超大功率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李赟
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：碳化硅 外延片 硅外延 外延层 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陆东赛
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：层数 分子泵 降温过程 机械泵 碳化钽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵志飞
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：碳化硅 外延层 外延片 硅外延 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
程伟
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：磷化铟 发射极 金属 圆片 旋涂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴维丽
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：外延片 集成电路 微波功率器件 碳化硅 D试验
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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