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朱战萍

作品数：8 被引量：11H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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王占国
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 量子级联激光器 衬底 砷化镓 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁基本
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 砷化镓 GAAS 量子点激光器 量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
龚谦
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：激光器 量子点激光器 量子点 砷化镓 砷化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱东海
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：ALGAAS 分子束外延 大功率半导体激光器 GAAS/ALGAAS 激射波长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔梅影
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 MBE GSMBE生长 GAAS GSMBE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张隽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：ALGAAS 大功率半导体激光器 GAAS/ALGAAS 激射波长 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
范缇文
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 分子束外延 X GAAS SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张昉昉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MBE生长 MBE 分子束外延生长 掺杂 PHEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈涌海
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 衬底 协变 分子束外延 超高真空
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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