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杨少延
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:衬底 生长温度 氮化镓 非极性 协变
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魏鸿源
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:非极性 氮化镓 锌源 氮化铝 铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘祥林
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 GAN 氮化物 MOVPE 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭严
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:铟 缓冲层 金属有机化合物 INN薄膜 镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王占国
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:量子点 量子级联激光器 砷化镓 衬底 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱勤生
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:镓 铟 非极性 金属有机化合物 锌源
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郑高林
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:铟 缓冲层 INN薄膜 镓 氮源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨安丽
供职机构:青岛科技大学
研究主题:二氧化钛 MOCVD 英文 INN薄膜 氧化锌纳米棒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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