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季安

作品数：39 被引量：27H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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地区

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杨富华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 相变存储器 电极 纳米尺寸 相变材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王晓东
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 相变存储器 纳米尺寸 相变材料 微装配
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张明亮
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 热电器件 MEMS压力传感器 纳米线结构 谐振式
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张加勇
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：纳米尺寸 相变存储器 淀积 干法刻蚀 相变材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
付英春
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：相变存储器 自对准 相变材料 干法刻蚀 淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄亚军
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 掩膜 湿法腐蚀 电流分布 氮化镓发光二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
樊中朝
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：刻蚀 SOI 干法刻蚀 碳化硅 多模干涉耦合器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马慧莉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：相变存储器 相变材料 淀积 纳米尺寸 抛光表面
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
白云霞
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：干法刻蚀 自对准 电子束曝光 可调谐光滤波器 可调谐滤波器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵永梅
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 刻蚀 碳化硅材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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