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秦复光

作品数：19 被引量：36H指数：4
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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共 17 条 记 录，以下是 1-10
姚振钰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：ZNO薄膜 低能离子束 硅 PLD法 脉冲激光淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘志凯
供职机构：中国科学院
研究主题：低能离子束 离子束外延 超高真空 生长温度 低能离子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
廖梅勇
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：金刚石膜 SI薄膜 碳膜 PLD法 脉冲激光淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨少延
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 生长温度 氮化镓 非极性 协变
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
柴春林
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：多层膜 超高真空 生长温度 离子束外延 低能离子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王占国
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 量子级联激光器 砷化镓 衬底 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林兰英
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体材料 氮化镓 分子束外延 砷化镓 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张建辉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：硅 超薄 XRD SI衬底 SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄大定
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GSMBE生长 硅 年谱 半导体材料 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王向明
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：低能离子束 FESI 半导体 外延膜 外延法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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