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陈谷然

作品数：5 被引量：2H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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地区

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共 12 条 记 录，以下是 1-10
黄润华
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：碳化硅 SIC 4H-SIC H型 比导通电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
柏松
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：4H-SIC SIC 碳化硅 SIC_MESFET MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘洋
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：时域 分配网络 服务器 电源噪声 门限
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑雪峰
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：电极 势垒层 氧化镓 场板 击穿电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李赟
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：碳化硅 4H-SIC SIC 肖特基二极管 H型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陆小力
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：氧化镓 功率二极管 掺杂 自支撑 阳极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵志飞
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：SIC H型 碳化硅 4H-SIC 界面态
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马晓华
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：电极 势垒层 高电子迁移率晶体管 栅电极 氧化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
栗锐
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：碳化硅 势垒 4H-SIC HFET 干法刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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