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陈海峰

作品数:10 被引量:17H指数:2
供职机构:西安电子科技大学微电子学院更多>>
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地区

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22 条 记 录,以下是 1-10
郝跃
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
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马晓华
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:电极 势垒层 栅电极 高电子迁移率晶体管 势垒
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曹艳荣
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:场板 淀积 ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 HEMT器件 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
倪金玉
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAN ALGAN/GAN GAN薄膜 SI基 二维电子气
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周鹏举
供职机构:西安电子科技大学微电子学院
研究主题:经时击穿 TDDB 击穿 NMOS器件 超薄栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高志远
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:GAN 腐蚀坑 位错 英文 GAN薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李康
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:雷达 多核 干扰机 高级加密标准 加密算法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
龚欣
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:高介电常数 金属膜 蒸发 GAN SUB
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王文博
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:压力机 永磁直线电动机 欧姆接触 次级 冲压力
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱志炜
供职机构:复旦大学
研究主题:金属半导体 多晶 静电放电 应力 MOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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