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邹鹏辉

作品数：6 被引量：12H指数：2
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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共 16 条 记 录，以下是 1-10
高建峰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS 砷化镓 PHEMT INP基 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王彦硕
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：TI 肖特基势垒 电子束蒸发 电子束 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈辰
供职机构：东南大学
研究主题：高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN ALGAN/GAN_HEMT 氮化镓 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩春林
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：INP基 电子束光刻 MESFET 4H-SIC 空气桥
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高喜庆
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：HEMT 高电子迁移率晶体管 一致性 INGAAS/INP INALAS/INGAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
耿涛
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：欧姆接触 MMIC 工作寿命 加速寿命试验 金膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林罡
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 太赫兹 GAN 微光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄念宁
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS PHEMT 孤子解 低噪声放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
康耀辉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 GAAS T形栅 截止频率 INGAAS/INP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩克锋
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 晶体管 Y型 沟道 GAAS_PHEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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