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张培健

作品数：10 被引量：4H指数：2
供职机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所更多>>
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共 18 条 记 录，以下是 1-10
吴雪
供职机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所
研究主题：多晶 电离辐射效应 ^60CO-Γ辐射 NPN 总剂量辐射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王信
供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题：锗硅异质结双极晶体管 总剂量 单粒子效应 总剂量效应 比较器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙静
供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题：辐照 总剂量 总剂量效应 剂量计 低剂量率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邱盛
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 终端 深槽 耐压性能 场效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐学良
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：电路 HBT 半导体器件 电场分布 SIGE/SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭旗
供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题：剂量率 辐照 总剂量效应 退火 总剂量
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陆妩
供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题：剂量率 剂量率效应 电离辐射 退火 运算放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任芳
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体工艺 介质 制版 CMOS工艺 集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘勇
供职机构：电子科技大学
研究主题：深槽 W波段 氮化镓 半导体 绝缘层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李小龙
供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题：总剂量效应 总剂量辐射 比较器 总剂量 偏置条件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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