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徐锐

作品数：6 被引量：29H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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地区

  • 11个北京市
共 11 条 记 录，以下是 1-10
王晓东
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 相变存储器 纳米尺寸 微装配 刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨富华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 相变存储器 电极 谐振器 纳米尺寸
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘雯
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：陷光结构 量子点 太阳电池 光吸收 太阳能电池
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋亮
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MPPT 变步长 光伏系统 光伏电池 最大功率跟踪
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
程凯芳
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：相变存储器 纳米尺寸 相变材料 淀积 抛光表面
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张严波
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：神经元电路 硅纳米线 树突 纳米线 硅衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐晓娜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：存储器 充电状态 二维电子气 抗蚀剂 动态随机存储器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈燕坤
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：硅纳米线 硅衬底 纳米线 纳米孔 光栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李小明
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：硅纳米线 硅衬底 纳米线 掺杂 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马慧丽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAAS衬底 阳极氧化铝膜 阳极氧化铝模板 阳极氧化 离子轰击
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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