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韩婷婷
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供职机构:
中国电子科技集团公司第十三研究所
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理学
电子电信
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合作作者
刘波
中国电子科技集团公司第十三研究...
盛百城
中国电子科技集团公司第十三研究...
冯志红
中国电子科技集团公司第十三研究...
房玉龙
中国电子科技集团公司第十三研究...
尹甲运
中国电子科技集团公司第十三研究...
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冯志红
供职机构:中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题:太赫兹 共振隧穿二极管 HFET 迁移率 异质结
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邢东
供职机构:中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题:太赫兹 击穿电压 硫钝化 GAAS GAASMESFET
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敦少博
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:氧化镓 沟道 势垒 微电子器件 电子束曝光
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房玉龙
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:氮化镓 电极 倍频电路 肖特基二极管 肖特基接触
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所获资助
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盛百城
供职机构:中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题:场效应晶体管 HFET 蓝宝石衬底 截止频率 迁移率
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尹甲运
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:氮化镓 场效应晶体管 氮化物 衬底 高电子迁移率晶体管
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何泽召
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:金刚石 石墨烯 场效应晶体管 色心 石墨烯材料
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张雄文
供职机构:中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题:GAAS_MMIC SEM分析 迁移率 场效应晶体管 HFET
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刘波
供职机构:中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题:GAN 异质结 场效应晶体管 MOCVD HFET
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