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何展

作品数:3 被引量:1H指数:1
供职机构:浙江大学物理系现代光学仪器国家重点实验室更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇红外
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇PBTE
  • 1篇导体
  • 1篇电器件
  • 1篇电阻
  • 1篇探测器
  • 1篇响应度
  • 1篇绝缘
  • 1篇绝缘保护
  • 1篇光电
  • 1篇光电导探测器
  • 1篇光敏
  • 1篇光敏电阻
  • 1篇红外波段
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体薄膜
  • 1篇波段

机构

  • 3篇浙江大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 3篇何展
  • 2篇吴惠桢
  • 2篇斯剑霄
  • 2篇蔡春锋
  • 1篇魏晓东
  • 1篇方维政
  • 1篇戴宁
  • 1篇张永刚
  • 1篇魏晓东

传媒

  • 1篇红外与激光工...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇1900
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
分子束外延PbTe薄膜中的红外光电导探测器被引量:1
2010年
中红外探测器在诸多领域具有重要的应用,目前,我国在PbTe、PbSe中红外探测器方面研制较少,通过分子束外延技术、以CdZnTe(111)为衬底生长PbTe外延薄膜,XRD表征表明:PbTe外延薄膜是单晶薄膜,且与衬底具有相同(111)取向,光吸收光谱测量得到外延薄膜的光学吸收边位于3.875μm,光致发光谱显示发光波长位于3.66μm,蓝移是红外激光泵浦导致PbTe温升所致。以PbTe为有源区材料、ZnS薄膜作为钝化和绝缘材料,用AuPtTi合金作为欧姆接触电极,研制了PbTe光电导中红外探测器原型器件,探测器在78K温度下的光电导响应在红外波段的1.5~5.5μm,探测率约为2×109cm·Hz1/2·W-1。最后,对影响探测器工作的因素和改进方法进行了讨论。
何展魏晓东蔡春锋斯剑霄吴惠桢张永刚方维政戴宁
关键词:PBTE
PbTe薄膜光、电器件工艺研究
何展
关键词:PBTE
PbTe半导体光电导中红外探测器及制备方法
一种基于PbTe半导体外延材料的光电导中红外探测器,包括基底、沉积在基底上的半导体光敏电阻薄膜、光敏电阻薄膜表面的保护层、电极,利用分子束外延设备(MBE)在CdZnTe基底上生长无掺杂的PbTe半导体薄膜,使用ZnS作...
吴惠桢何展魏晓东斯剑霄蔡春锋
文献传递
共1页<1>
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