卢赛
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：云南大学光电信息材料研究所更多>>
- 发文基金：教育部科学技术研究重点项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程一般工业技术更多>>
- 离子注入法制备硅基发光材料的研究
- 自从Canham等人研制出在室温下具有较强光发射的多孔硅后，对硅基材料进行改性引起了人们的极大兴趣。其中，离子注入作为一种对硅基材料改性的有效手段已经获得遍布红光到紫外光区域的光致发光，因此对其发光机理和发光效率的研究对...
- 卢赛
- 关键词：光致发光纳米晶退火工艺硅基发光材料
- 镶嵌在SiO_2基体中SiC纳米晶的紫外光致发光被引量：1
- 2013年
- 将剂量为2×1016cm-2的C+以60 keV的能量注入到SiO2薄膜中并进行了退火处理。从样品的室温光致发光(PL)光谱中观察到六个PL峰,其峰位分别处于2.601 eV、2.857 eV、3.085 eV、3.249 eV、3.513 eV和3.751 eV。其中3.249 eV处的PL峰与4H-SiC有关。而对于尚未见报道的3.751 eV处PL峰,进行了红外吸收和荧光激发(PLE)测试:在PLE谱4.429 eV处显示出一个对应于3.751 eV处的激发峰。在红外吸收谱上证实0.205 eV(1650cm-1)处的吸收峰与3.751 eV处发光峰的起源相关,从而推断在3.751 eV处的PL峰应起源于氧空位缺陷。
- 卢赛王茺王文杰杨宇
- 关键词：SIO2薄膜氧空位
- 热退火诱导C^+注入Si晶体的蓝光发射
- 2014年
- 在室温和注入能量为60 keV的条件下,在硅晶片中注入C+,使其剂量达到5.0×1016cm-2,随后即对样品进行高温退火处理。采用X射线衍射(XRD),拉曼和光致发光(PL)光谱技术对样品进行了表征。实验结果显示:C+注入后经高温退火的样品的XRD图谱中,在40°附近处出现了衍射峰,表明经退火后样品中形成了纳米尺寸的SiC团簇,并观察到了强烈的蓝光发射。PL光谱中的蓝光峰起源于量子限制效应。
- 周原王茺韦冬卢赛杨宇
- 关键词：离子注入量子限制效应
