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王文杰

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：云南大学光电信息材料研究所更多>>
发文基金：教育部科学技术研究重点项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇氧空位
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米晶
  • 1篇SIC
  • 1篇SIO
  • 1篇SIO2薄膜

机构

  • 1篇云南大学

作者

  • 1篇卢赛
  • 1篇王茺
  • 1篇杨宇
  • 1篇王文杰

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
镶嵌在SiO_2基体中SiC纳米晶的紫外光致发光被引量：1
2013年
将剂量为2×1016cm-2的C+以60 keV的能量注入到SiO2薄膜中并进行了退火处理。从样品的室温光致发光(PL)光谱中观察到六个PL峰,其峰位分别处于2.601 eV、2.857 eV、3.085 eV、3.249 eV、3.513 eV和3.751 eV。其中3.249 eV处的PL峰与4H-SiC有关。而对于尚未见报道的3.751 eV处PL峰,进行了红外吸收和荧光激发(PLE)测试:在PLE谱4.429 eV处显示出一个对应于3.751 eV处的激发峰。在红外吸收谱上证实0.205 eV(1650cm-1)处的吸收峰与3.751 eV处发光峰的起源相关,从而推断在3.751 eV处的PL峰应起源于氧空位缺陷。
卢赛王茺王文杰杨宇
关键词：SIO2薄膜氧空位
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共1页<1>
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