公共文化服务平台

共 6 条记录，以下是 1-6

全选清除导出

排序方式：

注硅工艺对UMBOND SOI材料抗辐照性能的影响: SOI 材料天然具有抗瞬时辐射的能力,而通过特定的改性处理后,SOI 的抗总剂量能力也可以得到大幅度的提高。SOI 材料主流的制备方法包括 SIMOX (注氧隔离方法)和 UNIBOND SOI(智能剥离方法制备)。在 ...; 武爱民陈静张恩霞杨慧张正选王曦; 关键词：离子注入纳米晶; 文献传递

Pseudo-MOS方法表征SIMOX SOI材料总剂量辐照效应: 2007年; 为了缩短SOI材料的改性研究周期,利用pseudo-MOS方法研究了SIMOX SOI材料的总剂量辐照效应。试验采用硅注入绝缘埋层后退火得到改性的SIMOX SOI材料,通过对比改性前后样品在辐照前后的pseudo-MOSFET ID-VG特性曲线,分析改性工艺的影响。研究结果表明,合适的改性工艺能有效提高材料抗总剂量辐照效应的能力,pseudo-MOS方法在大大缩短SOI材料改性周期的基础上,能准确、快捷地对材料的总剂量辐照效应进行表征。; 杨慧张正选张恩霞; 关键词：SIMOX SOI 总剂量辐照效应

注硅工艺对UNIBOND SOI材料抗辐照性能的影响: 2007年; SOI材料天然具有抗瞬时辐射的能力，而通过特定的改性处理后，SOI的抗总剂量能力也可以得到大幅度的提高。SOI材料主流的制备方法包括SIMOX（注氧隔离方法）和UNIBOND SOI（智能剥离方法制备）。在SIMOX SOI的抗辐射加固领域，采用氮离子注入、氮氧共注入以及硅离子注入的方法都曾取得过很有效的结果。采用硅离子注入的方法对UNIBOND SOI进行了抗总剂量加固。采用P-MOS的表征方法对加固前后的样品进行了比较和分析，在HP-4155B半导体测试仪上得到的I-V曲线和提取的参数表明，注入的离子有效地减少了埋层中积累的正电荷得，圆片抗总剂量能力得到了大幅度提高。初步的理论分析表明是注入的硅离子形成的纳米团簇起到了俘获正电荷的作用。; 武爱民陈静张恩霞杨慧张正选王曦; 关键词：离子注入纳米晶

利用Pseudo-MOS方法研究改性SIMOX SOI材料的总剂量辐照效应: 近年来，SOI技术由于其独特的优越性，被广泛应用于空间及军事抗辐射领域。但SOI中绝缘埋层(BOX)的存在，使SOI材料抗总剂量辐照效应的能力受到限制。为了提高SlMOX SOI材料的抗总剂量辐照能力，本论文对SIMOX...; 杨慧; 关键词：总剂量辐照效应绝缘埋层改性工艺; 文献传递

Effects of Si Ion Implantation on the Total-Dose Radiation Properties of SIMOX SOI Materials: 2007年; To improve the total-dose radiation hardness,silicon-on-insulator （SOI） wafers fabricated by the separation-by-implanted-oxygen （SIMOX） method are modified by Si ion implantation into the buried oxide with a post anneal. The ID- VG characteristics can be tested with the pseudo-MOSFET method before and after radiation. The results show that a proper Si-ion-implantation method can enhance the total-dose radiation tolerance of the materials.; 杨慧张恩霞张正选; 关键词：SIMOX SOI

注硅工艺对UNIBOND SOI材料抗辐照性能的影响: SOI材料天然具有抗瞬时辐射的能力,而通过特定的改性处理后,SOI的抗总剂量能力也可以得到大幅度的提高。SOI材料主流的制备方法包括SIMOX(注氧隔离方法)和UNIBOND SOI(智能剥离方法制备)。在SIMOXSO...; 武爱民陈静张恩霞杨慧张正选王曦; 关键词：SOI材料纳米晶改性处理; 文献传递

全选清除导出

共1页<1>

杨慧