管云芳
- 作品数：15 被引量：2H指数：1
- 供职机构：华南理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央级公益性科研院所基本科研业务费专项国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 氮化时间对RF-MBE法生长InN薄膜晶体结构的影响
- 2013年
- 采用射频等离子体分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石(Al2O3)衬底上外延生长了InN薄膜,在生长之前对其进行不同时间的氮化处理。通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对薄膜的形貌和结构进行了表征,发现氮化时间小于60min时获得的InN薄膜的晶体结构为多晶且表面粗糙,而氮化时间为60min及120min时获得的InN薄膜为单晶结构,表面粗糙度有所下降。分析表明,氮化时间对InN薄膜的晶体结构有很重要的影响。
- 高芳亮管云芳李国强
- 关键词：氮化铟氮化RF-MBE单晶薄膜
- 一种生长在Si衬底上的In<Sub>0.3</Sub>Ga<Sub>0.7</Sub>As薄膜及制备方法
- 本发明公开了生长在Si衬底上的In<Sub>0.3</Sub>Ga<Sub>0.7</Sub>As薄膜，包括生长在Si衬底上的低温In<Sub>0.28</Sub>Ga<Sub>0.72</Sub>As缓冲层及生长在低温...
- 李国强高芳亮温雷李景灵管云芳张曙光
- 文献传递
- 一种生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜及其制备方法
- 本发明公开了一种生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜，包括生长在GaAs衬底上的GaAs缓冲层、生长在GaAs缓冲层上的InGaAsN外延层薄膜。本发明还公开上述生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜的制备方法，G...
- 李国强李景灵高芳亮管云芳温雷张曙光
- 文献传递
- 不同氧化物衬底上高质量GaN薄膜的外延生长
- 2013年
- 通过对比蓝宝石(Al2O3),SiC,Si,ZnO衬底与三种非常规氧化物衬底即LiGaO2,MgAl2O4和LaAlO3衬底上外延生长GaN薄膜的优缺点,指出了在这几种氧化物衬底上生长GaN薄膜所具有的独特优势;针对氧化物衬底上生长GaN薄膜的问题,提出了相应的解决方法,进而明确指出了研究非常规氧化物衬底的重要意义。在此基础上,详细介绍了在三种氧化物衬底上生长高质量GaN薄膜的方法及研究进展,为高晶体质量GaN薄膜的生长及Ⅲ族氮化物半导体器件的应用研究、特别是基于非常规氧化物衬底的研究起到很好的指导意义。
- 李国强管云芳高芳亮
- 关键词：MGAL2O4LAALO3GAN薄膜
- 生长在Si衬底上的InGaAs薄膜及其制备方法
- 本发明公开了生长在Si衬底上的InGaAs薄膜，包括依次排列的Si衬底、低温In<Sub>0.4</Sub>Ga<Sub>0.6</Sub>As缓冲层、高温In<Sub>0.4</Sub>Ga<Sub>0.6</Sub>...
- 李国强高芳亮管云芳温雷李景灵张曙光
- 文献传递
- 生长在GaAs衬底上的InGaAs薄膜及其制备方法
- 本发明公开了生长在GaAs衬底上的InGaAs薄膜，包括由下至上依次排列的GaAs衬底、InGaAs梯度缓冲层和In<Sub>0.3</Sub>Ga<Sub>0.7</Sub>As外延薄膜；InGaAs梯度缓冲层包括由下...
- 李国强高芳亮吴平平李景灵管云芳
- 文献传递
- 生长在Si衬底上的GaAs薄膜及其制备方法
- 本发明公开了一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)Si衬底清洗；(2)Si衬底预处理；(4)缓冲层的生长：在350～500℃的生长温度下，在经步骤(3)处理后的Si衬底表面生长2～20nm的I...
- 李国强温雷高芳亮张曙光李景灵管云芳
- 文献传递
- Si衬底上高质量InxGa1-xAs薄膜的外延生长研究
- 随着科技的进步，军事和民用领域常用的碲镉汞（HgxCd1-xTe）红外探测器及III-V族GaAs基太阳能电池的性能已不能满足人们的要求。InxGa1-xAs材料由于具有稳定性好，有效质量小，电子迁移率和峰值漂移速度高，...
- 管云芳
- 关键词：SI衬底分子束外延晶体质量应力释放
- 文献传递
- 一种生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜
- 本实用新型公开了一种生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜，包括生长在GaAs衬底上的GaAs缓冲层、生长在GaAs缓冲层上的InGaAsN外延层薄膜。本实用新型得到的InGaAsN薄膜表面平整、成分均匀，带宽为1eV...
- 李国强李景灵高芳亮管云芳温雷张曙光
- 文献传递
- 生长在GaAs衬底上的InGaAs薄膜
- 本实用新型公开了生长在GaAs衬底上的InGaAs薄膜，包括由下至上依次排列的GaAs衬底、InGaAs梯度缓冲层和In<Sub>0.3</Sub>Ga<Sub>0.7</Sub>As外延薄膜；InGaAs梯度缓冲层包括...
- 李国强高芳亮吴平平李景灵管云芳
- 文献传递
