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高芳亮

作品数：84 被引量：3H指数：1
供职机构：华南理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中央级公益性科研院所基本科研业务费专项更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 76篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 13篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 3篇理学
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 62篇衬底
  • 19篇电池
  • 18篇太阳电池
  • 18篇外延片
  • 18篇SI衬底
  • 16篇缓冲层
  • 14篇量子
  • 13篇GAAS衬底
  • 12篇石墨
  • 12篇石墨烯
  • 12篇分子束
  • 12篇分子束外延
  • 11篇晶体
  • 10篇电学
  • 10篇非掺杂
  • 9篇量子点
  • 9篇纳米
  • 9篇盖层
  • 9篇玻璃衬底
  • 8篇LED外延片

机构

  • 84篇华南理工大学

作者

  • 84篇高芳亮
  • 83篇李国强
  • 56篇张曙光
  • 54篇温雷
  • 14篇管云芳
  • 6篇韩晶磊
  • 5篇王文樑
  • 2篇王海燕
  • 2篇林志霆
  • 2篇吴平平
  • 1篇刘玫潭
  • 1篇林静
  • 1篇周仕忠

传媒

  • 4篇半导体光电
  • 1篇半导体技术

年份

  • 4篇2023
  • 3篇2020
  • 13篇2019
  • 17篇2018
  • 20篇2017
  • 5篇2016
  • 9篇2015
  • 4篇2014
  • 6篇2013
  • 3篇2012
共 84 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
氮化时间对RF-MBE法生长InN薄膜晶体结构的影响
2013年
采用射频等离子体分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石(Al2O3)衬底上外延生长了InN薄膜,在生长之前对其进行不同时间的氮化处理。通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对薄膜的形貌和结构进行了表征,发现氮化时间小于60min时获得的InN薄膜的晶体结构为多晶且表面粗糙,而氮化时间为60min及120min时获得的InN薄膜为单晶结构,表面粗糙度有所下降。分析表明,氮化时间对InN薄膜的晶体结构有很重要的影响。
高芳亮管云芳李国强
关键词：氮化铟氮化RF-MBE单晶薄膜
新型衬底上的高光效LED外延材料与芯片
李国强王文樑林志霆吴质朴王海燕张曙光高芳亮周仕忠
针对基于蓝宝石衬底的商用LED发展所面临的瓶颈，项目提出选取LGO和LSAT两种新型衬底来替代蓝宝石，开展了系统的“新型衬底上的高光效LED外延材料与芯片”研发工作。取得了以下3项突破性的核心发明技术：发明了一种氮化物低...
关键词：
关键词：芯片
生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制备方法
本发明公开了生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制备方法，该InGaN/GaN多量子阱纳米柱包括Si/石墨烯复合衬底、生长在Si/石墨烯复合衬底上的n型掺杂GaN纳米柱，生长在n型掺杂GaN纳...
李国强高芳亮张曙光徐珍珠余粤锋
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生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱
本实用新型公开了生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱，该InGaN/GaN多量子阱纳米柱包括Si/石墨烯复合衬底、生长在Si/石墨烯复合衬底上的n型掺杂GaN纳米柱，生长在n型掺杂GaN纳米柱顶部...
李国强高芳亮张曙光徐珍珠余粤锋
文献传递
生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片
本实用新型公开了生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片，由下至上依次包括Si衬底、In金属纳米微球层和InN纳米柱层。所述In金属纳米微球层中的In金属纳米微球的直径为20‑70nm。所述InN纳米柱层中InN纳米柱直径为...
李国强高芳亮温雷张曙光徐珍珠韩晶磊余粤锋
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生长在Al衬底上的(In)GaN纳米柱及其制备方法与应用
本发明公开了生长在Al衬底上的(In)GaN纳米柱及其制备方法与应用，包括生长在Al衬底上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的(In)GaN纳米柱。其中采用的Al衬底热导率高，成本低，有利于解决器件散热的问题，降低器件...
李国强徐珍珠高芳亮张曙光温雷余粤锋
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一种生长在Si衬底上的(In)GaN纳米管及其制备方法与应用
本发明公开了一种生长在Si衬底上的(In)GaN纳米管及其制备方法与应用，包括生长在Si衬底上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的(In)GaN纳米管。本发明采用的Si衬底易获得、面积大、成本低、有利于降低器件成本；本...
李国强徐珍珠张曙光高芳亮温雷余粤锋
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一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜
本实用新型公开了一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜，包括由下至上层叠的Si(111)衬底、第一In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As缓冲层、GaAs缓冲层、第二In<Sub>x</Sub>Ga<...
李国强高芳亮温雷张曙光李景灵
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一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜及其制备方法
本发明公开了一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)Si(111)衬底清洗；(2)Si(111)衬底预处理；(3)Si(111)衬底脱氧化膜；(4)第一In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>...
李国强高芳亮温雷张曙光李景灵
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生长在Si(111)衬底上的GaN纳米柱及其制备方法和应用
本发明公开了生长在Si(111)衬底上的GaN纳米柱的制备方法，包括以下步骤：(1)衬底以及其晶向的选取：采用Si衬底；(2)衬底清洗；(3)衬底退火处理；(4)高温生长GaN纳米柱：在900‑1100℃的条件下生长Ga...
李国强余粤锋高芳亮徐珍珠
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