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温雷

作品数：65 被引量：0H指数：0
供职机构：华南理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程金属学及工艺一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 64篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 43篇衬底
  • 26篇电池
  • 24篇太阳电池
  • 18篇SI衬底
  • 14篇肖特基
  • 13篇量子
  • 12篇电极
  • 12篇肖特基结
  • 11篇缓冲层
  • 10篇石墨
  • 10篇石墨烯
  • 10篇量子点
  • 9篇外延片
  • 9篇纳米
  • 9篇盖层
  • 9篇GAAS衬底
  • 8篇底电极
  • 7篇晶体
  • 7篇分子束
  • 6篇禁带

机构

  • 65篇华南理工大学

作者

  • 65篇温雷
  • 57篇李国强
  • 57篇张曙光
  • 54篇高芳亮
  • 9篇管云芳
  • 6篇韩晶磊

年份

  • 4篇2023
  • 1篇2021
  • 3篇2020
  • 12篇2019
  • 14篇2018
  • 15篇2017
  • 4篇2016
  • 8篇2015
  • 4篇2014
共 65 条 记 录，以下是 1-10
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提高量子点太阳电池效率的斜切衬底上多层量子点及制备
本发明属于太阳电池的技术领域，公开了提高量子点太阳电池效率的斜切衬底上多层量子点及制备。斜切衬底上多层量子点，其特征在于：由下至上依次包括GaAs衬底，表面重构的GaAs层，GaAs缓冲层及多层量子点；GaAs衬底为斜切...
张曙光李国强温雷高芳亮徐珍珠余粤锋
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一种GaAs表面钝化增强石墨烯肖特基结太阳电池性能的方法
本发明属于太阳电池的技术领域，公开了一种GaAs表面钝化增强石墨烯肖特基结太阳电池性能的方法。方法为：(1)将一面镀有背电极的GaAs片置于硫醇溶液中，钝化处理，GaAs片未镀有背电极的表面形成钝化膜；(2)将GaAs片...
张曙光温雷李国强高芳亮
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生长在Si衬底上的GaAs薄膜及制备方法
本发明公开了生长在Si衬底上的GaAs薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)Si衬底清洗；(2)Si衬底预处理；(3)Si衬底脱氧化膜；(4)缓冲层的生长：在350～500℃的生长温度下，在经步骤(3)处理后的Si衬底表面...
李国强温雷高芳亮张曙光李景灵龚振远
高性能量子点中间带石墨烯肖特基结太阳电池及制备
本发明属于太阳能电池的技术领域，公开了高性能量子点中间带石墨烯肖特基结太阳电池及制备。所述石墨烯肖特基结太阳电池从下到上依次包括底电极、GaAs衬底、表面重构的GaAs层、GaAs缓冲层、量子点中间带、石墨烯层、顶电极；...
张曙光李国强温雷徐珍珠高芳亮
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一种Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合结构及其制备方法与应用
本发明公开了一种Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合结构及其制备方法与应用，其中，贵金属Au纳米粒子的SPR效应可以进一步增强半导体InGaN纳米柱对太阳光的吸收；此外，Au纳米粒子与半导体InGaN纳米柱界面处...
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一种强紫外光致发光的ZnO有序纳米柱的制备方法
本发明公开了一种强紫外光致发光的ZnO有序纳米柱的制备方法，包括以下步骤：(1)制备ZnO有序纳米柱；(2)通过湿法转移将石墨烯薄膜转移至ZnO有序纳米柱的上表面，并进行退火处理；(3)在石墨烯薄膜表面旋涂Au纳米颗粒。...
张曙光李国强高芳亮温雷李景灵
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一种InGaAs-graphene肖特基结太阳电池及其制备方法
本发明公开了一种InGaAs‑graphene肖特基结太阳电池，由下至上依次包括背电极、GaAs衬底、InGaAs外延层、空穴传输层、石墨烯和顶电极；所述空穴传输层为2,2',7,7'‑四[N,N‑二(4‑甲氧基苯基)氨...
张曙光温雷李国强高芳亮余粤锋
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生长在Ti衬底上的(In)GaN纳米柱及其制备方法与应用
本发明公开了生长在Ti衬底上的(In)GaN纳米柱及其制备方法与应用，包括生长在Ti衬底上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的(In)GaN纳米柱。本发明采用的Ti衬底价格低廉，有利于降低器件成本；其次，本发明采用的T...
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一种生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜
本实用新型公开了一种生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜，包括生长在GaAs衬底上的GaAs缓冲层、生长在GaAs缓冲层上的InGaAsN外延层薄膜。本实用新型得到的InGaAsN薄膜表面平整、成分均匀，带宽为1eV...
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一种强拉曼散射强度的石墨烯的制备方法
本发明公开了一种强拉曼散射强度的石墨烯的制备方法，包括以下步骤：(1)制备有序Au纳米结构；(2)制备石墨烯薄膜；(3)将石墨烯薄膜转移到Au纳米结构的表面。本发明通过将石墨烯薄膜覆盖在Au纳米结构表面，极大提高石墨烯与...
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