您的位置: 专家智库 > >

文献类型

  • 17篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇湿法刻蚀
  • 3篇图像
  • 3篇图像传感器
  • 3篇金属
  • 3篇刻蚀
  • 3篇光电
  • 3篇感器
  • 3篇CMOS图像
  • 3篇CMOS图像...
  • 3篇传感
  • 3篇传感器
  • 2篇电子显微镜
  • 2篇电阻
  • 2篇异常状态
  • 2篇载流子
  • 2篇照度
  • 2篇扫描电子显微...
  • 2篇双极型
  • 2篇探针
  • 2篇探针卡

机构

  • 17篇上海集成电路...

作者

  • 17篇肖慧敏
  • 5篇周伟
  • 3篇姚嫦娲
  • 2篇杨冰
  • 2篇曹永峰
  • 2篇王全
  • 2篇俞柳江
  • 2篇陈立山
  • 1篇王言虹

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 4篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
金属埋层凸起的去除方法以及空气隙的制备方法
本发明提供了一种金属埋层凸起的去除方法以及空气隙的制备方法,利用了高表面张力的湿法刻蚀将金属埋层凸起刻蚀掉,为了避免刻蚀药液对于空气隙结构中的介质层以及金属埋层的过多刻蚀,采用提高刻蚀药液的表面张力方法,使得刻蚀药液只停...
姚嫦娲肖慧敏
文献传递
一种CMOS图像传感器像素单元的版图结构
本实用新型公开了一种CMOS图像传感器像素单元的版图结构,包括多个像素单元,每一个像素单元包括四个光电二极管;四个传输晶体管,分别与所述四个光电二极管对应相连;共用有源区的一个源极跟随晶体管,一个复位晶体管以及一个行选通...
顾学强周伟肖慧敏
文献传递
一种孔内光刻胶残余的检测方法以及相应的孔条宽测量方法
本发明提出一种孔内光刻胶残余的检测方法以及相应的孔条宽测量方法,所述孔内光刻胶残余的检测方法包括以下步骤:对所述孔的内壁进行扫描;将扫描信号换算成围成近似圆形的测量点;测量任意三个相邻的所述测量点间形成的朝向所述近似圆形...
肖慧敏
文献传递
一种CMOS图像传感器的像素单元
本发明公开了一种CMOS图像传感器的像素单元及其制造方法,属于半导体技术领域。像素单元包括:感光二极管和传输管组,所述传输管组包括若干个分别在源极端和漏极端进行并联的传输管,每个所述传输管的栅极与所述感光二极管的注入区形...
顾学强周伟肖慧敏
一种CMOS图像传感器的像素单元和阵列及其制作方法
本发明公开了一种CMOS图像传感器的像素单元及其制造方法,属于半导体技术领域。像素单元包括:感光二极管和传输管组,所述传输管组包括若干个分别在源极端和漏极端进行并联的传输管,每个所述传输管的栅极与所述感光二极管的注入区形...
顾学强周伟肖慧敏
文献传递
用于ESD防护的MOS器件的形成方法
本发明公开了一种用于ESD防护的MOS器件的形成方法,通过与该MOS器件类型相反的另一MOS器件的源/漏区的离子注入工艺,对形成该MOS器件的镇流电阻的区域进行反向注入,从而最终降低该区域的离子注入浓度,进而在不增加工艺...
俞柳江王全曹永峰周伟顾学强肖慧敏陈立山
金属硅化物的制备方法
本发明公开了一种金属硅化物的制备方法,该方法通过在硅基底上制备金属硅化物之前,先进行第一道加热工艺,从而可去除在对所述硅基底进行表面清洗过程中残留的水汽,防止靠近场氧化层隔离结构边缘的金属硅化物变薄,使得在小线宽的源漏区...
顾学强肖慧敏陈力山
文献传递
一种采用湿法腐蚀工艺制作MEMS器件的方法
一种采用湿法腐蚀工艺制作MEMS器件的方法,用于改善MEMS器件牺牲层释放工艺中的结构损伤,包括将硅片放置在湿法设备工艺腔中的工艺平台上,并随工艺平台一起旋转;将湿法刻蚀药液从硅片上方喷淋到硅片表面进行刻蚀工艺,其中湿法...
姚嫦娲肖慧敏
文献传递
一种减小在线扫描电子显微镜误测定的方法
在先进的半导体制造工艺中,条宽控制一直是重中之重。扫描电子显微镜作为在线条宽测量设备,要求能够最大限度地减少误测,确保数据真实可靠。但在实际操作中,误测定难以避免。尤其在测量较细的密集线条时,很容易出现想要测量线条却测成...
肖慧敏
文献传递
晶圆允收测试系统和允收测试方法
本发明提供了一种晶圆允收测试系统和方法,包括探针卡,探针台,测试装置,还包括:控制模块,用于接收测试结构的初始位置参数,控制探针与晶圆上的测试结构相接触,并控制测试装置的启闭;位置探测单元,用于探测探针与测试结构相接触的...
杨冰肖慧敏
文献传递
共2页<12>
聚类工具0